产品speci fi cation
PE9354
产品说明
该PE9354 SPDT高功率的UltraCMOS ™射频开关
设计为覆盖一个宽范围的应用从DC附近
到3000兆赫。此单电源开关反光导通集成
板CMOS控制逻辑通过一个简单的单针CMOS驱动
与TTL兼容控制输入。采用标称+ 3伏
电源的+31的典型输入1 dB压缩点
dBm的可以实现的。该PE9354还具有输入输出
更好的超过30 dB的隔离，在2000 MHz和提供的
小型8引脚的陶瓷SOIC封装。
该PE9354是优化商业空间的应用程序。
单粒子闩锁起来（ SEL ）在物理上是不可能的，
单粒子翻转（ SEU ） ，比每比特/天10-9错误要好。
制作百富勤公司的UltraCMOS ™技术，
PE9354提供了卓越的射频性能和内在的辐射
耐受性。
图1.功能示意图
RFC
SPDT大功率
的UltraCMOS ™射频开关
抗辐射的空间应用
特点
•
单3伏电源
•
低插入损耗： 0.55分贝在2000兆赫
•
在2000 MHz的高隔离30分贝
•
典型输入1 dB压缩点
+31 dBm的
•
100拉德总剂量
•
单针CMOS或TTL逻辑控制
•
低成本
图2.封装类型
8引线CSOIC
RF1
RF2
CMOS
控制
司机
CTRL
表1. A / C电气规格-55°C至+ 125 ° C，V
DD
= 3.0 V
(Z
S
= Z
L
= 50
Ω)
参数
工作频率
1
插入损耗
隔离 - RFC到RF1 / RF2
隔离 - RF1到RF2
回波损耗
2
输入1 dB压缩
2000兆赫
2000兆赫
2000兆赫
2000兆赫
2000兆赫
28
28
24
条件
最低
DC
典型
最大
3000
单位
兆赫
dB
dB
dB
dB
DBM
0.55
32
28
22
31
0.80
注：1，线性器件将开始降低10 MHz以下。
注： 2，回波损耗不生产，由于设备的限制测量
文档编号70-0099-02
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