PI49FCT3802/PI49FCT3803
1 ： 5/1 ： 7时钟缓冲器
用于网络应用程序
电源特性
参数
I
DDQ
∆I
DD
描述
静态电源电流
每输入电源电流
@ TTL高
测试条件
V
DD
=最大。
V
DD
=最大。
V
IN
= GND或V
DD
V
IN
= V
DD
-0.6V(3)
50兆赫
67兆赫
I
DD
动态电源电流
V
DD
= 3.6V,
空载
80兆赫
100兆赫
125兆赫
156兆赫
分钟。
典型值。
(2)
0.1
47
43
56
66
81
97
121
马克斯。
30
300
单位
µA
mA
注意事项：
1.为最大。或最小值。条件下使用的电气特性规定了适用的设备合适的值。
2.典型值是在V
DD
= 3.3V ， + 25 ° C的环境。
3.每TTL驱动输入（V
IN
= V
DD
?? 0.6V ） ;所有其他输入在V
DD
或GND 。
电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1兆赫）
参数
(1)
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
典型值
3.0
—
马克斯。
4
6
单位
pF
注意：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产测试。
开关特性
(V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= 85°C)
参数
t
R
/t
F
t
PLH
t
PHL
t
sk(o)(3)
t
sk(p)(3)
t
sk(t)(3)
Desciription
CLKN上升/下降时间0.8V 〜 2.0V
传播延迟BUF_IN到CLKN
同一个包中的两个输出间偏斜（同
过渡）
相反的转换之间歪斜（T
PHL
- t
PLH
）的相同
产量
不同封装的两个输出间偏斜
(4)
C
L
= 15pF的，
125兆赫
1.0
测试条件
分钟。
典型值。
0.7
2.2
110
200
马克斯。
1.0
2.5
250
ps
250
0.55
ns
ns
单位
注意事项：
1.请参阅测试电路和波形。
2.最低限度的保证，但不是在传输延迟测试。
3.斜测得更糟浇筑温度（最高温度） 。
4.在相同的条件：加载，转换，电源电压，温度，封装类型和速度等级。
3
PS8559A
09/14/04
PERICOM [ PERICOM SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
