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    C30645E 参数 Datasheet PDF下载

    C30645E图片预览
    型号： C30645E
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    内容描述： 铟镓砷雪崩光电二极管 [InGaAs Avalanche Photodiode]
    分类和应用： 光电二极管光电二极管
    文件页数/大小： 5 页 / 279 K
    品牌： PERKINELMER [ PERKINELMER OPTOELECTRONICS ]
     浏览型号C30645E的Datasheet PDF文件第2页浏览型号C30645E的Datasheet PDF文件第3页浏览型号C30645E的Datasheet PDF文件第4页浏览型号C30645E的Datasheet PDF文件第5页  
    D A T A中文ê （E T）
    光电
    C30645E / C30662E系列
    铟镓砷雪崩光电二极管
    描述
    该C30645E / C30662E是高速，大面积lnGaAs / LNP
    雪崩光电二极管。这些器件提供高Q.E. ，高
    响应性和低噪声在1100nm的之间的频谱范围
    和1700nm.They是在波长优化使用
    1540nm ，适合于人眼安全激光测距系统中使用。
    这些APD的是在一个密封的TO- 18封装提供
    或在陶瓷载体上。
    定制包装也可以。请联系珀金埃尔默
    Optelectronics加拿大讨论中更详细地包装。
    应用
    OTDR
    人眼安全范围
    查找
    特点
    光谱响应
    （ 1100到1700nm的）
    高响应
    质量可靠性&
    珀金埃尔默光电子加拿大致力于提供
    最优质的产品给我们的客户。
    我们经过认证，符合ISO- 9001 ，我们的目的是满足
    MIL -STD- 883和/或MIL -STD- 750规范。
    所有设备进行扩展的老化和周期性过程
    资格程序，以确保高可靠性。
    低暗电流
    和噪声
    大面积
    www.optoelectronics.perkinelmer.com

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