InGaAs雪崩光电二极管C30645E / C30662E系列
在T表1.电气特性
A
= 22°C
C30645E
参数
直径
工作电压（ VOP ）
虚拟现实的温度系数
固定增益
响应（ @ 1550 ）
暗电流（ @ M = 10 ）
频谱噪声电流（ @ M = 10 ）
电容
带宽
量子效率（ 1300-1550nm ）
最高可用增益（M ）
1000
75%
10
20
1.25
200
75%
10
20
9.3
50
1.0
2.5
40
0.14
分钟。
典型值。
80
70
0.20
9.3
150
1.5
40
0.14
马克斯。
分钟。
C30662E
典型值。
200
70
0.20
马克斯。
单位
um
V
V /摄氏度
/ W
nA
PA / RT赫兹
pF
兆赫
1.特定的电压， VOP ，提供每个设备。当光电二极管是在该电压下操作（在
22℃） ，该装置能够满足上面所示的电特性的限制。该电压值将是内
范围为40到70伏。
2.增益的电压依赖性，对增益高于40 ，是由下述经验给出近似
公式：
M = 50 / （VB - VOP ） 。粗略近似的敏感性。
3.增益与量子效率是不能直接测量的量。引用的数字是估计的典型
值。增益，量子效率和响应性是通过以下相关：R = ŋλM /1.24其中
λ
为
波长以mm表示，
ŋ
是量子效率， M是增益。
4.检测器的噪声电流/ Hz的
1/2
由下式给出以下表达式：
在= （ 2Q （L
s
+l
b
M
2
F))
1/2
式中： F =
k
EFF
M + (1 -
k
EFF
） （2-1 / M）和升
s
和L
b
是黑暗的未经过相乘，再乘以部分
电流。总的暗电流由下式给出：这=升
s
+l
b
M.
然而，由于两个升
s
和L
b
有些依赖于电压，M是不能直接测量（见注3 ）
它通常是无法确定这两个升
s
和L
b
毫不含糊。因为系统的性能取决于
噪声电流和响应度，这些可测量的量是已指定的那些。
5.大多数设备可以在增益高达约30个或更多操作，但是与噪声电流的值
相应较高，受注4上面的讨论中表示。
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