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    C30737E-500 参数 Datasheet PDF下载

    C30737E-500图片预览
    型号： C30737E-500
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    内容描述： 外延硅雪崩光电二极管 [Epitaxial Silicon Avalanche Photodiode]
    分类和应用： 光电二极管光电二极管
    文件页数/大小： 5 页 / 98 K
    品牌： PERKINELMER [ PERKINELMER OPTOELECTRONICS ]
     浏览型号C30737E-500的Datasheet PDF文件第2页浏览型号C30737E-500的Datasheet PDF文件第3页浏览型号C30737E-500的Datasheet PDF文件第4页浏览型号C30737E-500的Datasheet PDF文件第5页  
    光电
    D A T A中文ê （E T）
    初步数据表
    C30737
    外延硅雪崩光电二极管
    描述
    该C30737型雪崩光电二极管提供了高
    500纳米和1000纳米，以及之间的响应
    极快的上升时间，在与所有波长
    频率响应高达1.0 GHz的。有源区
    直径光敏表面的是0.23毫米
    和0.5mm左右。其它光敏直径也是
    可定制的基础。
    检测器芯片被密封之后的平坦
    安装在TO -18封装玻璃窗口。 TO-18
    塑料密封包装，塑料表面贴装
    包附加选项。
    珀金埃尔默光电子致力于提供
    最优质的产品给我们的客户。认证
    符合ISO 9001 ，外延系列是专为
    满足MIL -STD- 883和/或MIL -STD- 750 。
    应用
    •
    测距
    •
    光通信系统
    特点
    •
    低成本
    •
    0.23毫米和0.5毫米活跃
    直径
    •
    高增益在低偏压
    •
    低击穿电压
    •
    快速响应
    •
    低噪音
    optoelectronics.perkinelmer.com
    第1页

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