备用电源/
第二个源光电二极管
VTD34F
（ BPW34F工业当量）
包装尺寸
英寸（毫米）
产品说明
在一模制的塑料平面状硅光电二极管
封装。包装材料过滤掉可见光
但经过红外线。适合直接安装到
P.C.B.数组可以通过定位这些形成
设备并排。光电二极管的设计
以在低的情况下提供优异的灵敏度
辐照度。
CASE 22 MINI DIP
CHIP活动区域：在0.012
2
(7.45 mm
2
)
绝对最大额定值
存储温度：
工作温度：
-20°C到80°C
-20°C到80°C
光电特性@ 25°C
VTD34F
符号
Re
V
OC
TC V
OC
I
D
C
J
t
R
/t
F
S
R
λ
范围
λ
p
V
BR
θ
1/2
NEP
D*
特征
响应
开路电压
V
OC
温度COEF网络cient
暗电流
结电容
上升/下降时间@ 1 kΩ的铅
灵敏度
光谱应用范围
光谱响应 - 山顶
击穿电压
角Resp. 50 ％ RESP 。 PT 。
噪声等效功率
比探测
40
±50
4.8 x 10
-14
5.7 x 10
12
测试条件
分钟。
0.5毫瓦/平方厘米
2
， 940纳米
0.5毫瓦/平方厘米
2
， 940纳米
2850 K
H = 0，V
R
= 10 V
@ 1 MHz时，V
R
= 0 V
V
R
= 10 V ， 833纳米
@峰
725
940
15
275
350
-2.0
2
60
50
0.60
1150
30
典型值。
马克斯。
µA
mV
毫伏/°C的
nA
pF
纳秒
/ W
nm
nm
V
度
W
⁄
Hz
厘米赫兹/ W
单位
珀金埃尔默光电子， 10900页大街，圣路易斯，密苏里州63132美国
电话： 314-423-4900传真： 314-423-3956网址： www.perkinelmer.com/opto
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