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VTE1262 参数 Datasheet PDF下载

VTE1262图片预览
型号: VTE1262
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内容描述: GaAlAs的红外发光二极管 [GaAlAs Infrared Emitting Diodes]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 2 页 / 43 K
品牌: PERKINELMER [ PERKINELMER OPTOELECTRONICS ]
 浏览型号VTE1262的Datasheet PDF文件第2页  
GaAlAs的红外发光二极管
T- 1.75 ( 5毫米)的塑料包装 - 880纳米
VTE1261 , 1262
包装尺寸
英寸(毫米)
描述
CASE 26 T- 1.75 ( 5毫米)的
芯片尺寸: 0.018" X 0.018"
包装发射这个窄光束角5mm直径的塑料中含有大量面积,双引线接合,砷化镓铝, 880纳米,高
高效红外发光二极管芯片适用于高电流脉冲应用。
绝对最大额定值@ 25°C
(除非另有说明)
最高温度
保管与使用:
连续功率耗散:
减免上述30 ° C:
最大连续电流:
减免上述30 ° C:
正向峰值电流, 10微秒, 100 PPS :
温度。系数的功率输出(典型值) :
-40 ℃至100 ℃的
200毫瓦
2.86毫瓦/°C的
百毫安
1.43毫安/°C的
3.0 A
-.8%/°C
最大反向电压:
最大反向电流@ V
R
= 5V:
峰值波长(典型值) :
结电容@ 0V , 1 MHz(典型值) :
响应时间@我
F
= 20毫安
上涨: 1.0微秒秋季: 1.0微秒
引线焊接温度:
(从案例1.6毫米5秒以内。 )
5.0V
10 µA
880纳米
35 pF的
260°C
光电特性@ 25°C
(参见GaAlAs的曲线,第108-110页)
产量
辐射
产品型号
E
e
毫瓦/平方厘米
2
分钟。
VTE1261
VTE1262
3.0
4.0
典型值。
3.9
5.2
条件
距离
mm
36
36
直径
mm
6.4
6.4
发光的
强度
I
e
毫瓦/ SR
分钟。
39
52
总功率
P
O
mW
典型值。
20
25
TEST
当前
I
FT
mA
(脉冲的)
100
100
正向压降
V
F
@ I
FT
典型值。
典型值。
1.5
1.5
马克斯。
2.0
2.0
±10°
±10°
半功率波束
θ
1/2
请参阅一般产品说明,第2页。
珀金埃尔默光电子, 10900页大街,圣路易斯,密苏里州63132美国
电话: 314-423-4900传真: 314-423-3956网址: www.perkinelmer.com/opto
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