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VTE7173图片预览
型号: VTE7173
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内容描述: GaAlAs的红外发光二极管 [GaAlAs Infrared Emitting Diodes]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 1 页 / 35 K
品牌: PERKINELMER [ PERKINELMER OPTOELECTRONICS ]
   
GaAlAs的红外发光二极管
成型侧包 - 880纳米
VTE7172 , 7173
包装尺寸
英寸(毫米)
描述
案例7侧向
芯片尺寸: 0.011" X 0.011"
这些侧视包设计用于PC板安装使用中断探测器。该软件包是传递模塑料
并包含一个高效率, 880纳米, GaAlAs的IRED的模具。
绝对最大额定值@ 25°C
(除非另有说明)
最高温度
保管与使用:
连续功率耗散:
减免上述30 ° C:
最大连续电流:
减免上述30 ° C:
正向峰值电流, 10微秒, 100 PPS :
温度。系数的功率输出(典型值) :
-40 ° C至85°C
100毫瓦
1.82毫瓦/°C的
50毫安
0.91毫安/°C的
2.5 A
-.8%/°C
最大反向电压:
最大反向电流@ V
R
= 5V:
峰值波长(典型值) :
结电容@ 0V , 1 MHz(典型值) :
响应时间@我
F
= 20毫安
上涨: 1.0微秒秋季: 1.0微秒
引线焊接温度:
(从案例1.6毫米5秒以内。 )
5.0V
10 µA
880纳米
14 pF的
260°C
光电特性@ 25°C
(参见GaAlAs的曲线,第108-110页)
产量
辐射
产品型号
E
e
毫瓦/平方厘米
2
分钟。
VTE7172
VTE7173
0.4
0.6
典型值。
0.6
0.8
条件
距离
mm
16.7
16.7
直径
mm
4.6
4.6
发光的
强度
I
e
毫瓦/ SR
分钟。
1.1
1.7
总功率
P
O
mW
典型值。
2.5
5.0
TEST
当前
I
FT
mA
(脉冲的)
20
20
正向压降
V
F
@ I
FT
典型值。
典型值。
1.3
1.3
马克斯。
1.8
1.8
±25°
±25°
半功率波束
θ
1/2
请参阅一般产品说明,第2页。
珀金埃尔默光电子, 10900页大街,圣路易斯,密苏里州63132美国
电话: 314-423-4900传真: 314-423-3956网址: www.perkinelmer.com/opto
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