VTP工艺光电二极管
VTP8440
包装尺寸
英寸（毫米）
产品说明
在一个凹陶瓷平面状硅光电二极管
封装。芯片上涂有一层保护层
的透明环氧树脂。这些二极管具有低暗
在反向偏置和速度快的电流
反应。
CASE 21 8毫米陶瓷
CHIP活动区域：在0.008
2
(5.16 mm
2
)
绝对最大额定值
存储温度：
工作温度：
-20°C至75°C的
-20°C至75°C的
光电特性@ 25°C
（另见VTP曲线，第46页）
VTP8440
符号
I
SC
TC我
SC
V
OC
TC V
OC
I
D
R
SH
C
J
Re
S
R
λ
范围
λ
p
V
BR
θ
1/2
NEP
D*
特征
短路电流
I
SC
温度COEF网络cient
开路电压
V
OC
温度COEF网络cient
暗电流
分流电阻
结电容
响应
灵敏度
光谱应用范围
光谱响应 - 山顶
击穿电压
角RESP 。 - 50％的注册教育储蓄计划。 PT 。
噪声等效功率
比探测
50
测试条件
分钟。
H = 100 FC， 2850 ķ
2850 K
H = 100 FC， 2850 ķ
2850 K
H = 0 ，V R = 50伏
H = 0 ，V = 10毫伏
H = 0 ， V = 15 V
940纳米
@峰
400
925
140
±50
1.3 x 10
-13
单位
典型值。
55
.20
350
-2.0
15
.5
15
.025
.55
1150
马克斯。
µA
%/°C
mV
毫伏/°C的
nA
GΩ
pF
A / （W /厘米
2
)
/ W
nm
nm
V
度
（典型值）。
W
⁄
Hz
厘米赫兹/ W
30
1.8 x 10
12
（典型值）。
珀金埃尔默光电子， 10900页大街，圣路易斯，密苏里州63132美国
电话： 314-423-4900传真： 314-423-3956网址： www.perkinelmer.com/opto
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