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D2SB60 参数 Datasheet PDF下载

D2SB60图片预览
型号: D2SB60
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内容描述: 单相硅桥式整流器 [Single-phase Silicon Bridge Rectifier]
分类和应用: 二极管
文件页数/大小: 2 页 / 335 K
品牌: PFS [ SHENZHEN PING SHENG ELECTRONICS CO., LTD. ]
 浏览型号D2SB60的Datasheet PDF文件第2页  
D2SB60
塑封硅整流桥堆
反向电压
600V
正向电流
2.0
A
20.7 ± 0.3
3.5 ± 0.2
单相硅桥式整流器
反向电压600 V
正向电流2.0 A
特征
特点
·�½�的反向漏电流
低反向漏
浪涌
超载等级:80安培峰值
·较强的正向浪涌承受�½力
高正向浪涌能力
·浪涌承受�½力:80 A
+
2.0 ± 0.3
1.0 ± 0.1
~
~
-
2.5 ± 0.2
10.5 ± 0.3
8max
5.5max
45
4.5±0.5
机械数据
机械数据
0.5 ± 0.1
5.0 ± 0.2 5.0 ± 0.2 5.0 ± 0.2
5.0±0.5
·封装:
塑料封装
案例:模压塑料
·极性:
标记模压或印于本�½�
极性:符号模压或标记体
·安装�½��½�:
任意
安装位置:任意
单位:mm
极限值和温度特性
TA = 25°
除非另有规定。
最大额定值&热特性
符号
符号
最大可重复峰值反向电压
最大重复峰值反向电压
最大均方根电压
最大RMS电压
最大直流阻断电压
最大直流阻断电压
最大正向平均整流电流
最大正向平均整流电流
峰值正向浪涌电流8.3ms的单一正弦半波
峰值正向浪涌电流8.3ms单一正弦半波
@TA = 75 ℃
最大反向峰值电流
最大
PEAK
完整周期反向电流
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
D2SB60
600
420
600
2.0
80
30
15
单�½�
单位
V
V
V
A
A
µA
℃/W
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F( AV )
I
FSM
I
R( AV )
R
θJA
TJ , TSTG
典型热阻
典型热阻
工�½�结温和存储温度
工作结存储温度范围
-55 --- +150
电特性
TA = 25°
除非另有规定。
电气特性
在25 ℃的环境温度,除非另有规定等级。
符号
符号
最大正向电压
最大正向电压
D2SB60
单�½�
单位
V
µA
I
F
= 1.0A
TA = 25 ℃
TA = 125 ℃
V
F
1.05
10
500
40
最大反向电流
最大反向电流
典型结电容
V
R
=
4.0V , F = 1MHz的
典型结电容
I
R
Cj
pF
网址: www.ps-pfs.com http://ps-pfs.en.alibaba.com/