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PM25LV010-25QC 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PM25LV010-25QC
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内容描述: 512千位/ 1兆位3.0伏只,串行闪存的25 MHz SPI总线接口 [512 Kbit / 1 Mbit 3.0 Volt-only, Serial Flash Memory With 25 MHz SPI Bus Interface]
分类和应用: 闪存内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小: 24 页 / 94 K
品牌: PMC [ PMC-SIERRA, INC ]
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PMC
Pm25LV512 / Pm25LV010的
512千位/ 1兆位3.0伏只,串行闪存
与25 MHz的SPI总线接口
特点
单电源工作
- 低电压范围: 2.7 V - 3.6 V
•存储结构
- Pm25LV512 : 64K ×8 ( 512千位)
- Pm25LV010的: 128K ×8 ( 1兆位)
成本效益的部门/块架构
- 统一4K字节扇区
- 统一的32字节块(每块8个扇区)
- 两个块有32字节(每512千位)
-
四大板块有32 KB的每个( 1兆位)
- 每块128页
串行外设接口(SPI )兼容
- 支持SPI模式0 ( 0,0)和3 ( 1,1)
高性能读
- 25 MHz的时钟速率(最大)
页编程操作模式
- 每页256字节
块写保护
-
块保护( BP1 , BP0 )位允许部分或全部
存储器被配置为只读。
硬件数据保护
- 写保护( WP # )引脚将禁止写操作
状态寄存器
页编程(最多256个字节)
- 每页节目时间通常为2 ms
部门,块和芯片擦除
- 典型的40毫秒部门/块/片擦除时间
单周期重编程的状态寄存器
-
内建编程前擦除
产品的高耐用性
- 保证10万次编程/擦除每单周期
部门(初步)
- 至少20年的数据保存
工业标准引脚输出和封装
- 8引脚SOIC JEDEC
- 8触点WSON
- 可选无铅(无铅)封装
概述
该Pm25LV512 / 010号512千位/ 1兆位3.0伏,只有串行闪存。这些设备被设计为使用
一个单一的低电压,范围从2.7伏到3.6伏,供电进行读取,擦除和编程操作。
该设备可以同时编程标准EPROM编程器。
该装置被用在许多商业应用中,低功率和低电压操作的优化
必不可少的。该Pm25LV512 / 010通过芯片使能引脚( CE # ),并通过3线接口访问
由串行数据输入( SL ) ,串行数据输出( SO )和串行时钟( SCK ) 。所有的写周期的COM
pletely自定时。
对于顶部四分之一块写保护,顶部1/2或整个存储器阵列(1M)或整个存储器阵列( 512K )被使能
通过编程状态寄存器。单独的写使能和写禁止指令规定的附加
数据保护。硬件数据保护通过WP引脚提供防止意外写操作的尝试
状态寄存器。 HOLD引脚可用于暂停任何串行通信,无需重新设置串口
序列。
该Pm25LV512 / 010顷在PMC先进的非易失性CMOS技术,P -FLASH ™制造的。 DE-的
恶习均提供8引脚JEDEC SOIC和8触点WSON封装,工作频率高达25 MHz的。
可编程微电子股份有限公司
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发行日期: 2003年12月,修订版: 1.3