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PM25LV010 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PM25LV010
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内容描述: 512千位/ 1兆位3.0伏只,串行闪存的25 MHz SPI总线接口 [512 Kbit / 1 Mbit 3.0 Volt-only, Serial Flash Memory With 25 MHz SPI Bus Interface]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 24 页 / 94 K
品牌: PMC [ PMC-SIERRA, INC ]
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PMC
Pm25LV512/010
阅读:
通过SO (串行输出)引脚读Pm25LV512 / 010需要以下序列。经过CE#
线被拉低选择设备,读取指令经由S1线后面的字节地址发送
要读取(参照表7)。完成后,在SL线的任何数据都将被忽略。在数据( D7-D0 )
指定的地址然后被移出到SO线上。如果只有一个字节被读出时, CE#线应
驱动为高电平后的数据出来。 READ指令可以继续,因为一个字节的地址是automati-
美云递增,并且数据将继续被移出。对于Pm25LV512 / 010 ,最高的时候地址
到达时,地址计数器将翻转到最小地址让整个内存读取一个
连续读取指令。
FAST_READ :
该设备通过驱动CE #低的第一选择。 FAST的READ指令之后是3个字节的
地址( A23- A0)和一个空字节,每个比特被期间SCK (串行时钟)的上升沿锁存式。然后
存储器的内容,在该地址,被移出SO (串行输出) ,每一位被移出,以
最高频率f
FR
, SCK (串行时钟)的下降沿时。
第一个字节地址可以是在任何位置。的地址自动递增到下一个更高
每个数据字节后的地址被移出。当达到最高地址时,地址计数器将
切换到最低地址允许整个存储器读取与单个FAST READ指令。快
READ指令通过驱动CE#高终止。
页编程( PG_PROG ) :
为了将Pm25LV512 / 010编程,两个单独的指令必须是
执行。首先,设备必须通过写WREN指令启用。那么页编程指令
灰可以被执行。此外,该存储器位置(S)以被编程的地址必须是亲外
由块选择tected地址栏的位置写保护级别。在内部自定时编程
铭周期,所有命令将除了RDSR指令被忽略。
页面编程指令需要按以下顺序。经过CE#线被拉低选择
装置中,页面编程指令经由S1线后跟的地址发送和数据( D7-D0 )
要被编程(参照表7)。节目开始后, CE#引脚拉高。低到高的
在CE #引脚的转换必须在时钟的D0 ( LSB )的数据位后,立即在SCK低时有发生。
该设备的就绪/忙状态可以通过启动一个RDSR指令来确定。如果位0 = 1时,程序
循环仍在进行中。如果位0 = 0 ,则程序循环已经结束。仅在RDSR指令已启用
项目周期。在页面中一个程序的指令程序为1〜256个连续的字节,如果它没有被写
受保护的。起始字节可以在网页内的任何地方。当到达页面的结尾,该地址
将翻转到同一页的开头。如果要被编程的数据是小于一整页,该数据
在同一页上的所有其他字节保持不变。如果提供多于256个字节的数据,地址
计数器将在同一页上,并提供先前的数据将被替换。相同的字节不能
重新编程,除非先擦除整个扇区/块。该Pm25LV512 / 010会自动返回到
写入禁止状态,在完成程序循环。
注意:
如果设备没有被写使能( WREN)设备将忽略写入指令并返回到
待机状态下,当CE #被拉高。一种新的CE #下降沿需要重新初始化的序列
通信。
表7中。
地址键
地址
A
N
无关位
Pm25LV512
A
15
- A
0
A
23
- A
16
Pm25LV010
A
16
- A
0
A
23
- A
17
可编程微电子股份有限公司
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发行日期: 2003年12月,修订版: 1.3