PMC
特点
•
单电源工作
- 5.0 V± 10 ％读/编程/擦除
•高性能读
- 70/90 ns访问时间
•内存块结构
- 一个16 KB的顶部或底部与引导块
软件锁定
- 两个8字节的参数块
- 一个96 KB的主座
- 三128 KB的主块
•自动块擦除和字节编程
-
典型12
微秒/字节
程序设计
- 典型的50毫秒块或片擦除
•硬件数据保护
初步
Pm29F004
4兆位（ 512K ×8 ）， 5.0伏的CMOS只闪存
•数据＃投票和切换位特点
•低功耗
- 典型15毫安有效的读电流
- 典型40毫安编程/擦除电流
- 典型0.1
µA
CMOS待机电流
•高产品耐用性
- 保证万编程/擦除周期
- 典型的50000编程/擦除周期
- 最少10年的数据保留
•工业标准引脚输出和包装
- 32引脚塑料DIP
- 32引脚PLCC
•在0.30微米工艺制造
概述
该Pm29F004是4兆， 5伏，仅限于Flash组织为524,288字节每8位存储器。这
设备被设计成使用5.0伏电源进行在系统编程， 12.0伏V
PP
电源
编程和擦除操作不是必需的。该设备可以在标准EPROM编程编程
聚体为好。
的4兆位存储器阵列被分成一个16千字节，两个8千字节， 1 96字节7块，
和3个128字节的BIOS和参数存储。这七个模块允许用户灵活地进行芯片擦除
或块擦除操作。块擦除功能允许一个特定的块进行擦除和重新编程
在不影响在其它块中的数据。该设备进行芯片擦除或块擦除操作后，就可以
被重新编程在逐字节的基础。
该装置具有一个标准的微处理器接口以及JEDEC单电源闪存兼容
引脚和指令集。 Pm29F004的程序操作是通过发出程序指令执行
代码到命令寄存器。内部控制逻辑会自动处理编程电压斜坡上升
和定时。 Pm29F004的擦除操作是通过发出芯片擦除或块擦除命令执行
代码到命令寄存器。内部控制逻辑自动处理的擦除电压斜坡上升和
时序。在擦除之前，不要求在阵列上的预编程而未被编程
操作。该器件还具有数据＃查询和翻转位功能，程序结束或擦除操作
可以通过数据＃查询I / O7或I / O6的触发位被检测到。
该装置具有用于数据的软件锁定功能的可选16K字节顶部或底部的引导块
安全性。引导块可以被用来存储用户的安全码。当锁定功能启用时，开机
块永久保护被重新编程。
该Pm29F004制造的PMC先进的0.30微米，P -FLASH ™ ，非易失性存储器的过程。
该装置被装在一个32针的DIP和PLCC为70和90纳秒的存取时间。
可编程微电子股份有限公司
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发行日期： 2000年11月修订版： 1 。 0
PMC [ PMC-SIERRA, INC ]
