PMC
特点
•
低电压操作
- 双读V
CC
范围: 2.7 V至3.6 V或4.5 V至
5.5 V
- 编程/擦除电压: V
CC
- 2.7 V至3.6 V和
V
PP
- 11.5 V至12.5 V
•高性能读
- 70 ns访问时间
•电子芯片擦除和字节编程
采用EPROM编程器
-
最大20微秒/字节编程
- 最大100毫秒芯片擦除
- 不需要紫外线擦除
Pm37LV512
512千位( 64K ×8 )双电压多周期可编程ROM
•低功耗
- 典型5毫安有效的读电流
- 典型的18 μA CMOS待机电流
•优秀产品的信度
- 保证最低1000编程/擦除周期
- 至少20年的数据保存
• JEDEC标准字节宽度闪存
引脚输出
•工业标准包装
- 32引脚PLCC
- 32引脚PDIP
- 32引脚VSOP
概述
该Pm37LV512是512 Kbit的,多周期可编程只读存储器( MCP ROM )组织为65563
每个8位字节。器件的编程和擦除操作可以在EPROM编程器通过应用来完成
3.0伏V
CC
和12.0伏V
PP
到A9和/或OE #引脚。这消除了紫外线源,需要擦除操作
例如EPROM器件。装置的读操作可以在2.7伏特到3.6伏特或4.5伏特 - 5.5伏特范围
兼容或者3.0伏或5.0伏的系统。双读操作的范围可以大大提高应用程序
灵活性的用户。
该装置具有一个标准的微处理器接口以及JEDEC单电源闪存兼容的管脚
出。对于应用程序不需要在系统编程( ISP)的功能为firmwire升级, Pm37LV512
提供了一个直接的成本降低路径为闪存,即Pm39LV512 ,而不需要修改的原理图和板
系统的布局。
该Pm37LV512制造的PMC先进的非易失性CMOS技术,P -FLASH ™ 。该装置是
随着70 ns访问时间提供32引脚PLCC , VSOP和PDIP封装。
可编程微电子股份有限公司
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发行日期: 2002年12月修订版: 1.3