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PM39LV010-70JCE 参数 Datasheet PDF下载

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型号: PM39LV010-70JCE
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内容描述: 512千位/为1Mbit /兆比特/ 4Mbit的3.0伏只CMOS闪存 [512 Kbit / 1Mbit / 2Mbit / 4Mbit 3.0 Volt-only CMOS Flash Memory]
分类和应用: 闪存
文件页数/大小: 20 页 / 87 K
品牌: PMC [ PMC-SIERRA, INC ]
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PMC
特点
Pm39LV512 / Pm39LV010 / Pm39LV020 / Pm39LV040
512千位/为1Mbit /兆比特/ 4Mbit的3.0伏只CMOS闪存
单电源工作
- 低电压范围: 2.7 V - 3.6 V
•存储结构
- Pm39LV512 : 64K ×8 ( 512千位)
- Pm39LV010 : 128K ×8 ( 1兆位)
- Pm39LV020 : 256K ×8 ( 2兆)
- Pm39LV040 : 512K ×8 ( 4兆位)
•高性能读
- 55/70 ns访问时间
•性价比高的扇区/块架构
- 统一4K字节扇区
- 统一的64字节块(部门小组 - 除了
Pm39LV512)
•数据#投票和切换位特点
•硬件数据保护
•自动擦除和字节编程
- 内建自动程序验证
-
典型的16微秒/字节编程时间
- 典型的55毫秒部门/块/片擦除时间
•低功耗
- 典型4毫安有效的读电流
- 典型8毫安编程/擦除电流
- 典型0.1 μA CMOS待机电流
•高产品耐用性
- 保证10万次编程/擦除周期的每
单个扇区(初步)
- 至少20年的数据保存
•工业标准引脚输出和包装
- 32针(8毫米× 14毫米) VSOP
- 32引脚PLCC
- 可选无铅(无铅)封装
概述
该Pm39LV512 / 010 / 020 / 040顷512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位3.0伏,只有闪存。这些设备是
设计成使用一个单一的低电压,范围从2.7伏到3.6伏,电源以执行读取,擦除和
编程操作。 12.0伏V
PP
不需要编程和擦除操作的电源。该器件
可同时编程标准EPROM编程器。
Pm39LV512的存储器阵列的数据或代码存储器划分成均匀的4千字节扇区。内存
Pm39LV010 / 020 / 040的阵列分成均匀的4字节的扇区或统一的64字节块(行业团体 -
由16相邻扇区) 。扇区或块擦除功能使用户能够灵活地抹去记忆
面积小到4千字节或大至64千字节由一个单一的擦除操作,而不影响其他的数据。
该芯片擦除功能使整个存储阵列在一个单一的擦除操作被删除。该设备可以
要执行擦除操作之后编程上的逐字节的基础。
该器件具有一个标准的微处理器接口以及一个JEDEC标准引脚输出/命令集。该
程序运行时通过发出程序指令代码到命令寄存器执行。内部控制
逻辑自动处理的编程电压斜坡上升和定时。擦除操作是通过执行
发出芯片擦除,块或扇区擦除命令代码到命令寄存器。内部控制逻辑
自动处理的擦除电压斜坡上升和定时。阵列上的预编程而尚未
编程擦除操作之前并不需要。该器件提供数据#查询和翻转位功能外,
进展或计划完成和擦除操作可通过读取数据#查询上的I / O 7或待检测
在I / O6触发位。
该Pm39LV512 / 010 / 020 / 040顷对PMC先进的非易失性CMOS技术,P -FLASH ™制造的。
该器件采用32引脚VSOP和PLCC封装的55和70 ns访问时间。
可编程微电子股份有限公司
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发行日期: 2003年12月修订版: 1.2