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BD249B 参数 Datasheet PDF下载

BD249B图片预览
型号: BD249B
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内容描述: NPN硅功率晶体管 [NPN SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 6 页 / 97 K
品牌: POINN [ POWER INNOVATIONS LTD ]
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BD249 , BD249A , BD249B , BD249C
NPN硅功率晶体管
1973年6月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性
参数
集电极 - 发射极
击穿电压
测试条件
BD249
V
( BR ) CEO
I
C
= 30毫安
(见注5 )
V
CE
= 55 V
I
CES
集电极 - 发射极
截止电流
集电极截止
当前
发射极截止
当前
正向电流
传输比
集电极 - 发射极
饱和电压
基射
电压
小信号转发
电流传输比
小信号转发
电流传输比
V
CE
= 70 V
V
CE
= 90 V
V
CE
= 115 V
I
首席执行官
I
EBO
V
CE
= 30 V
V
CE
= 60 V
V
EB
=
V
CE
=
V
CE
=
V
CE
=
I
B
=
I
B
=
V
CE
=
V
CE
=
5V
4V
4V
4V
1.5 A
5A
4V
4V
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
V
BE
= 0
I
B
= 0
I
B
= 0
I
C
= 0
I
C
= 1.5 A
I
C
= 15 A
I
C
= 25 A
I
C
= 15 A
I
C
= 25 A
I
C
= 15 A
I
C
= 25 A
I
C
=
I
C
=
1A
1A
(见注5和6)
(见注5和6)
F = 1千赫
F = 1 MHz的
25
3
(见注5和6)
25
10
5
1.8
4
2
4
V
V
I
B
= 0
BD249A
BD249B
BD249C
BD249
BD249A
BD249B
BD249C
BD249/249A
BD249B/249C
45
60
80
100
0.7
0.7
0.7
0.7
1
1
1
mA
mA
mA
V
典型值
最大
单位
h
FE
V
CE ( SAT )
V
BE
h
fe
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
|
h
fe
|
注: 5。这些参数必须使用脉冲技术进行测量,T
p
= 300微秒,占空比
2%.
6.这些参数必须使用电压感测接触,分开的载流触点来测量。
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
典型值
最大
1
42
单位
° C / W
° C / W
在25℃的情况下温度的电阻负载开关特性
参数
t
on
t
关闭
测试条件
I
C
= 5 A
V
BE (OFF)的
= -5 V
I
B(上)
= 0.5 A
R
L
= 5
I
B(关闭)
= -0.5 A
t
p
= 20微秒,直流
2%
典型值
0.3
0.9
最大
单位
µs
µs
开启时间
打开-O FF时间
显示电压和电流值是名义;精确值与晶体管的参数略有不同。
产品
信息
2