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型号: BULD25SL
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内容描述: 带集成二极管NPN硅晶体管 [NPN SILICON TRANSISTOR WITH INTEGRATED DIODE]
分类和应用: 晶体二极管晶体管开关
文件页数/大小: 12 页 / 280 K
品牌: POINN [ POWER INNOVATIONS LTD ]
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BULD25D , BULD25DR , BULD25SL
带集成二极管NPN硅晶体管
版权所有© 1997年,创新动力有限公司, UK
1994年7月 - 修订1997年9月
q
专为高频设计
电子镇流器
集成的快速吨
rr
反并联二极管,
提高可靠性
二极管吨
rr
通常为500纳秒
新的超低高度SOIC封装功率
严格控制晶体管的存储时间
电压匹配集成的晶体管和
二极管
性能优化的酷跑
B
B
NC
NC
E
ð包
( TOP VIEW )
1
2
3
4
8
7
6
5
q
C
C
C
C
q
q
q
q
NC - 无内部连接
SL包装
( TOP VIEW )
1
2
3
q
q
二极管,三极管电荷耦合
最大限度地减小以提高频率稳定度
自定义开关可用的选择
表面贴装和通孔选项
小外形
小外形录音
和缠绕
单直列
PART #后缀
D
DR
SL
C
E
q
q
设备符号
C
B
描述
晶体管的新BULDxx范围已
专为中高频率使用而设计的
电子镇流器( HFEB的) 。这一系列的
E
开关晶体管已受到严格控制
储存时间和一个集成的快速吨
rr
反并联二极管。革命性的设计保证了二极管
已经既快速正向和反向恢复时间,实现了相同的性能离散反平行
二极管加上晶体管。
集成的二极管有最小的电荷耦合于晶体管,提高频率的稳定性,
特别是在较低的电源电路,其中所述循环电流越小。根据设计,这种新器件提供
电压匹配的集成晶体管和反并联二极管。
该设备是在已经确立8引脚高度低表面贴装,D封装和TO -
220引脚兼容SL包。使用SL包允许40%的高储蓄,使其成为理想的
紧凑型镇流器应用。
在25 ° C环境温度绝对最大额定值(除非另有说明)
等级
集电极 - 发射极电压(V
BE
= 0)
集电极 - 基极电压(I
E
= 0)
集电极 - 发射极电压(I
B
= 0)
发射极 - 基极电压
符号
V
CES
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
价值
600
600
400
9
单位
V
V
V
V
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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