TIC225系列
硅双向可控硅
1975年7月 - 修订1997年3月
在25℃的情况下温度的电特性（除非另有说明） （续）
参数
V
TM
I
H
I
L
dv / dt的
dv / dt的
(c)
峰值通态电压
保持电流
闭锁电流
的临界上升率
断态电压
关键崛起
整流电压
I
TM
= ±12 A
V
供应
= +12 V†
V
供应
= -12 V†
V
供应
= +12 V†
V
供应
= -12 V†
V
DRM
=额定V
DRM
V
DRM
=额定V
DRM
测试条件
I
G
= 50毫安
I
G
= 0
I
G
= 0
（见注7 ）
I
G
= 0
I
TRM
= ±12 A
T
C
= 110°C
T
C
= 70°C
±1
±50
±1.5
±4.5
（见注6 ）
初始化“我
TM
= 100毫安
初始化“我
TM
= -100毫安
民
典型值
±1.6
3
-4.7
最大
±2.1
20
-20
30
-30
单位
V
mA
mA
V / μs的
V / μs的
†所有的电压都是相对于主终端1 。
注： 6。该参数必须使用脉冲技术进行测量，T
p
=
≤
1毫秒，占空比
≤
2％。电压检测触点分开
载流触点位于内从装置主体3.2毫米。
7.可控硅通过由具有以下特征的发电机供给的15 -V（开路幅度）脉冲触发：
R
G
= 100
Ω,
t
P（ G）
= 20
µs,
t
r
=
≤
15纳秒， F = 1千赫
热特性
参数
R
θ
JC
R
θ
JA
结到外壳热阻
结到自由空气的热阻
民
典型值
最大
2.5
62.5
单位
° C / W
° C / W
典型特征
门极触发电流
vs
外壳温度
1000
V
供应
I
GTM
I
GT
- 栅极触发电流 - 毫安
+
+
-
-
+
-
-
+
TC07AA
门极触发电压
vs
外壳温度
10
V
供应
I
GTM
V
GT
- 栅极触发电压 - V
+
+
-
-
+
-
-
+
TC07AB
V
AA
= ± 12 V
R
L
= 10
Ω
t
P（ G）
= 20 µs
V
AA
= ± 12 V
R
L
= 10
Ω
t
P（ G）
= 20 µs
}
100
10
1
1
0·1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
0·1
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
T
C
- 外壳温度 - C
T
C
- 外壳温度 - C
图1 。
图2中。
产品
信息
2
POINN [ POWER INNOVATIONS LTD ]
