TIC246系列
硅双向可控硅
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1971年12月 - 修订2000年6月
G
G
G
G
G
G
大电流双向可控硅
16 A RMS
玻璃钝化硅片
400 V到800 V断态电压
125的峰值电流
我最大
GT
为50 mA (象限1 - 3 )
销2与安装底座的电接触。
MDC2ACA
的TO-220封装
( TOP VIEW )
MT1
MT2
G
1
2
3
在工作情况下的绝对最大额定值(除非另有说明)
等级
TIC246D
重复峰值断态电压(见注1 )
TIC246M
TIC246S
TIC246N
全周期RMS通态电流(或低于) 70 ℃的外壳温度(见注2 )
峰值通态浪涌电流全正弦波在(或低于) 25 ℃的外壳温度(见注3 )
栅极峰值电流
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度1.6毫米案件从10秒
I
T( RMS )
I
TSM
I
GM
T
C
T
英镑
T
L
V
DRM
符号
价值
400
600
700
800
16
125
±1
-40到+110
-40到+125
230
A
A
A
°C
°C
°C
V
单位
注: 1.这些值适用于双向门和主终端1之间的电阻为任意值。
2.该值适用于50赫兹,电阻性负载全正弦波操作。超过70 °C减免线性至110 ° C的温度在
为400毫安/ ℃的速率。
3.该值适用于一个50赫兹的全正弦波当设备在运行(或低于)峰值反向电压的额定值
和通态电流。浪涌可以重复元件后返回到原来的热平衡。
在25℃的情况下温度的电特性(除非另有说明)
参数
I
DRM
重复峰值
Ø FF-态电流
门极触发
当前
V
D
=额定V
DRM
V
供应
= +12 V†
I
GT
V
供应
= +12 V†
V
供应
= -12 V†
V
供应
= -12 V†
V
供应
= +12 V†
V
GT
门极触发
电压
通态电压
保持电流
V
供应
= +12 V†
V
供应
= -12 V†
V
供应
= -12 V†
V
T
I
H
I
TM
= ±22.5 A
V
供应
= +12 V†
V
供应
= -12 V†
测试条件
I
G
= 0
R
L
= 10
Ω
R
L
= 10
Ω
R
L
= 10
Ω
R
L
= 10
Ω
R
L
= 10
Ω
R
L
= 10
Ω
R
L
= 10
Ω
R
L
= 10
Ω
I
G
= 50毫安
I
G
= 0
I
G
= 0
T
C
= 110°C
t
P( G)
& GT ; 20
µs
t
P( G)
& GT ; 20
µs
t
P( G)
& GT ; 20
µs
t
P( G)
& GT ; 20
µs
t
P( G)
& GT ; 20
µs
t
P( G)
& GT ; 20
µs
t
P( G)
& GT ; 20
µs
t
P( G)
& GT ; 20
µs
(见注4 )
初始化“我
TM
= 100毫安
初始化“我
TM
= -100毫安
12
-19
-16
34
0.8
-0.8
-0.8
0.9
±1.4
22
-12
2
-2
-2
2
±1.7
40
-40
V
mA
V
民
典型值
最大
±2
50
-50
-50
mA
单位
mA
†所有的电压都是相对于主终端1 。
注4 :该参数必须使用脉冲技术进行测量,T
p
=
≤
1毫秒,占空比
≤
2%。电压检测触点分开
载流触点位于内从装置主体3.2毫米。
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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