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型号: TIC263D
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内容描述: 硅双向可控硅 [SILICON TRIACS]
分类和应用: 可控硅三端双向交流开关PC局域网
文件页数/大小: 5 页 / 107 K
品牌: POINN [ POWER INNOVATIONS LTD ]
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TIC263系列
硅双向可控硅
版权所有© 1997年,创新动力有限公司, UK
1971年12月 - 修订1997年3月
q
q
q
q
q
q
大电流双向可控硅
25 A RMS
玻璃钝化硅片
400 V到800 V断态电压
175的峰值电流
我最大
GT
为50 mA (象限1​​ - 3 )
MT2
2
SOT- 93封装
( TOP VIEW )
MT1
1
G
3
销2与安装底座的电接触。
MDC2AD
绝对最大额定值
在工作​​情况下(除非另有说明)
等级
TIC263D
重复峰值断态电压(见注1 )
TIC263M
TIC263S
TIC263N
全周期RMS通态电流(或低于) 70 ℃的外壳温度(见注2 )
峰值通态浪涌电流全正弦波(见注3 )
栅极峰值电流
工作温度范围
存储温度范围
焊接温度1.6毫米案件从10秒
I
T( RMS )
I
TSM
I
GM
T
C
T
英镑
T
L
V
DRM
符号
价值
400
600
700
800
25
175
±1
-40到+110
-40到+125
230
A
A
A
°C
°C
°C
V
单位
注: 1.这些值适用于双向门和主终端1之间的电阻为任意值。
2.该值适用于50赫兹,电阻性负载全正弦波操作。超过70 °C减免线性至110 ° C的温度在
为625毫安/ ℃的速率。
3.该值适用于一个50赫兹的全正弦波当设备在运行(或低于)峰值反向电压的额定值
和通态电流。浪涌可以重复元件后返回到原来的热平衡。
在25℃的情况下温度的电特性(除非另有说明)
参数
I
DRM
重复峰值
Ø FF-态电流
峰值栅极触发
当前
V
D
=额定V
DRM
V
供应
= +12 V†
I
GTM
V
供应
= +12 V†
V
供应
= -12 V†
V
供应
= -12 V†
V
供应
= +12 V†
V
GTM
峰值栅极触发
电压
峰值通态电压
保持电流
V
供应
= +12 V†
V
供应
= -12 V†
V
供应
= -12 V†
V
TM
I
H
I
TM
= ±35.2 A
V
供应
= +12 V†
V
供应
= -12 V†
测试条件
I
G
= 0
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
R
L
= 10
I
G
= 50毫安
I
G
= 0
I
G
= 0
T
C
= 110°C
t
P( G)
& GT ; 20
µs
t
P( G)
& GT ; 20
µs
t
P( G)
& GT ; 20
µs
t
P( G)
& GT ; 20
µs
t
P( G)
& GT ; 20
µs
t
P( G)
& GT ; 20
µs
t
P( G)
& GT ; 20
µs
t
P( G)
& GT ; 20
µs
(见注4 )
初始化“我
TM
= 100毫安
初始化“我
TM
= -100毫安
7
-15
-16
28
0.7
-0.7
-0.8
0.8
±1.5
6
-13
2
-2
-2
2
±1.7
40
-40
V
mA
V
典型值
最大
±2
50
-50
-50
mA
单位
mA
†所有的电压都是相对于主终端1 。
注4 :该参数必须使用脉冲技术进行测量,T
p
=
1毫秒,占空比
2%。电压检测触点分开
载流触点位于内从装置主体3.2毫米。
产品
信息
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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