TISP4070H3BJ THRU TISP4095H3BJ ， TISP4125H3BJ THRU TISP4200H3BJ ，
TISP4240H3BJ THRU TISP4400H3BJ
双向晶闸管过电压保护
1997年11月 - 修订1999年3月
交流功率测试
该保护器能够承受施加电流的时间不超过图8电流的显示，
超过这些时间必须被终止或减少，以避免保护器失效。保险丝， PTC（正
温度系数）电阻器和熔断电阻器的过电流保护装置，它可以用来
以减少电流流动。保护熔丝的范围可以从几百毫安到1安培。在
某些情况下，可能有必要加入一些额外的串联电阻，以防止在所述保险丝开口
冲击试验。过电流保护装置的电流随时间变化的特性必须低于线
在图8中示出在某些情况下可能存在的测试标准（例如， UL施加进一步的时限
1459模拟线路故障） 。
电容
保护特性断态电容值给出了直流偏置电压V
D
中， 0，-1 V值
-2 V和-50五，如果可能的值也被给定为-100V。值其他电压，可以计算
通过乘以V
D
= 0的电容值由在图6中给出的因子高达10MHz的电容是
基本上与频率无关。 10MHZ以上的有效电容是强烈地依赖于
连接电感。在许多应用中，诸如图15和图17中，典型的导体偏压
电压将是约-2 V和-50 V.图7示出了差动（行不平衡）所引起的电容
施力1保护在-2 V和其他在-50五。
正常的系统电压等级
保护器不应该剪辑或限制发生在正常系统操作的电压。不寻常
条件下，如振铃无连接线，一定程度的限幅是可允许的。在这种
条件有关剪报10 V通常是可能的，但不激活环跳闸回路。
DRM
在温度低于25 ℃的值。计算出的
值应不小于最大正常系统电压。该TISP4265H3BJ ，与V
DRM
of
200伏，可用于环发电机上的一个电池的电压产生环的100伏均方根保护
-58 V（ Th2和Th3的图17）。峰值环电压将是58 + 1.414 * 100 = 199.4 。然而，这是
开路电压和线的连接和它的设备会降低峰值电压。在
一个未连接线的极端情况下，裁剪峰值电压为190 V不应该激活环之旅。这
将发生在该温度限幅电平，当在V
DRM
已降低到二百分之一百九十○ = 0.95的25℃的
值。图10显示了将发生在-22 ℃的环境温度下此条件。在这个例子中，
TISP4265H3BJ让设备正常运行提供了最低预期环境
温度不低于-22℃ 。
JESD51热测量方法
为规范热测量， EIA（电子工业联盟）创造了JESD51
标准。标准（ JESD51-2 ， 1995年）的第2部分介绍了测试环境。这是一个0.0283米
3
（1英尺
3
)
立方体包含测试的PCB （印刷电路板）水平地安装在中心。的3部分
标准（ JESD51-3 ， 1996）定义了两个测试印刷电路板表面贴装元件; 1包为小
超过27毫米的一侧和另一封装高达48毫米。该SMBJ测量中使用的更小的
76.2毫米X 114.3毫米（ 3.0 “× 4.5” ）的PCB 。该JESD51-3多氯联苯被设计成具有低有效热
导电性（高耐热性） ，且表示最坏情况的条件。在大多数使用的多氯联苯
应用程序将实现热电阻值越低，因此可以消耗更高的功率水平比
由JESD51值表示。
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POINN [ POWER INNOVATIONS LTD ]
