TISP5070H3BJ ， TISP5080H3BJ ， TISP5110H3BJ ， TISP5150H3BJ
正向传导
单向晶闸管过电压保护
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1998年1月 - 修订1999年3月
电信系统高电流过电压保护
q
模拟线路卡和ISDN保护
- 模拟SLIC
- ISDN U接口
- ISDN电源
8千伏10/700 ， 200 A 310分之5 ITU -T K20 / 21的评价
离子注入击穿区
精确稳定的电压
在低压浪涌电压过冲
V
DRM
设备
‘5070
‘5080
‘5110
‘5150
V
-58
-65
-80
-120
V
（BO）
SMBJ包装
（ TOP VIEW ）
1
2
q
q
MDXXBGB
设备符号
2
最小最大
V
-70
-80
-110
-150
SD5XAB
1
q
额定国际浪涌波形
波形
2/10 µs
8/20 µs
10/160 µs
10/700 µs
10/560 µs
10/1000 µs
标准
GR-1089-CORE
ANSI C62.41
FCC第68部分
ITU -T K20 / 21
FCC第68部分
GR-1089-CORE
I
TSP
A
500
300
250
200
160
100
描述
这些装置被设计为限制在电话线和数据线的过电压。过电压通常
造成交流这些感应或传导到电力系统或闪电的干扰
电话线。单个设备提供的2点保护和通常用于ISDN的保护
电源饲料。两个设备，一个是环输出，另一个用于输出提示，将提供
保护单电源模拟SLIC组件。三个设备的组合将给出一个低电容
保护网络的ISDN线路3点的保护。
所述保护器是由一个电压触发的单向晶闸管与反并联二极管。负
过电压被击穿夹紧最初削，直到电压升高到导通的水平，这
导致器件撬棍插入状态的低电压。在这种状态下的低电压使电流
从过电压造成安全地通过设备转移。高撬棍保持电流
防止直流闭锁的分流电流补贴。正过电压通过导通的限制
的反并联二极管。
这TISP5xxxH3BJ范围包括四个不同的电压，以满足不同系统的最高电压等级
（ 58 V至120 V ） 。这样可以保证电压限制和抵御国际上市雷电浪涌的
两极。这些高（H），电流保护器件是一个塑料封装SMBJ （ JEDEC的DO - 214AA
与J-弯引线）和压花载体卷包装供应。
产品
信息
1
信息为出版日期。产品符合根据规格
随着电力创新标准保修条款。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
POINN [ POWER INNOVATIONS LTD ]
