TISP61060D ， TISP61060P
双正向导电的P- GATE闸流体
可编程过电压保护
1995年9月 - 修订1997年9月
这些单芯片保护装置制作离子注入平面垂直权力结构的高
可靠性和系统正常运行他们几乎是透明的。该缓冲门设计减少了
期间所造成的权力交叉和感应过电压加载的SLIC供应。
绝对最大额定值
等级
重复峰值断态电压，I
G
= 0, -40°C
≤
T
J
≤
85°C
重复峰值门极 - 阴极电压，V
KA
= 0, -40°C
≤
T
J
≤
85°C
非重复性峰值通态脉冲电流（见注1和2 ）
10/1000 µs
10/160 µs
2/10 µs
非重复性峰值通态电流（见注1和2 ）
60Hz的正弦波， 25毫秒
60Hz的正弦波， 2秒
持续通态电流（见注2 ）
连续正向电流（见注2 ）
工作自由空气的温度范围内
存储温度范围
焊接温度1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下10秒
I
TM
I
FM
T
A
T
英镑
T
L
I
TSM
6
1
0.3
0.3
-40至+85
-40到+150
260
A
A
°C
°C
°C
武器
I
TSP
30
45
50
A
符号
V
DRM
V
GKRM
价值
-100
-85
单位
V
V
注： 1，最初的保护必须是热平衡与-40°C
≤
T
J
≤
85°C 。电涌可能会重复后，设备返回到
它的初始条件。
2.额定电流值可涂在环至地面或尖端接地端子对。此外，这两种
终端对可以具有它们的额定电流值的同时施加（在这种情况下，接地端子的电流将是两倍
单个端子对的额定电流值）。超过85° C，线性降额到零上150 ℃的焊接温度。
推荐工作条件
民
C
G
门去耦电容
典型值
100
最大
单位
nF
电气特性， -40°C
≤
T
J
≤
85 ℃（除非另有说明）
参数
I
D
Ø FF-态电流
V
D
= -85 V, V
GK
= 0 V
测试条件
T
J
= 25°C
T
J
= 85°C
民
典型值
最大
5
50
-53
-68
-55
-100
3
4
5
7
2
4
5
5
-150
mA
V
V
mA
V
单位
µA
µA
的dv / dt = -250 V / ms的，源电阻= 300
Ω,
V
GG
= -50 V
V
（BO）
I
S
击穿电压
开关电流
的dv / dt = -250 V / ms的，源电阻= 300
Ω,
V
GG
= -65 V
I
T
= 12.5 A， 10/1000微秒，源电阻= 80
Ω,
V
GG
= -50 V
的dv / dt = -250 V / ms的，源电阻= 300
Ω,
V
GG
= -50 V
I
T
= 1 A
V
T
通态电压
I
T
= 10 A
I
T
= 16 A
I
T
= 30 A
I
F
= 1 A
V
F
正向电压
I
F
= 10 A
I
F
= 16 A
I
F
= 30 A
I
H
保持电流
I
T
= -1 A， di / dt的= + 1A / MS ，V
GG
= -50 V
产品
信息
2
POINN [ POWER INNOVATIONS LTD ]
