TISP61089
双正向导电的P- GATE闸流体
可编程过电压保护
1995年11月 - 修订1998年2月
在图6中，正向栅极电荷（Q
GS
）为约0.1 μC ，其与0.1μF的栅极去耦电容
使用的，由约1V （增加的栅极供给= Q
GS
/ C1 ） 。这种变化是在-72 V门刚刚可见
电压，V
BAT
。这种增加并不直接添加到保护的电压作为电源电压的变化
处达到最大值时，栅极电流极性反转0.4微秒;而保护电压的峰
在0.3微秒。在图6中，峰值钳位电压（V
（BO）
）为-77.5 V，在门的名义同比增长5.5 V
电源电压。此5.5 V，增加的电源轨增加当时的总和， （0.5V ），并且
保护电路阴极二极管供给轨导通电压（5V） 。在实践中，使用的建议
220 nF的门去耦电容会给一个电源轨增加0.25 V和V
（BO）
约值
-77.25 V.
0
-20
电压 - V
VK
VBAT
-40
-60
-80
0.0
0.5
时间 - 微秒
1
0
电流 - 一个
-1
-2
-3
-4
-5
0.0
0.5
时间 - 微秒
1.0
1.5
IK
QGS
1.0
1.5
IG
图6.保护器快速脉冲，钳位和开关波形
应用电路
头（T ）中，连接到经由串联过流保护继电器矩阵。可熔电阻，保险丝和积极的
温度系数（PTC）电阻器可用于过电流保护。电阻会降低
准电流同时为TISP61089和环/保护器测试的浪涌发生器。该
TISP7xxxF3保护器具有相同的保护电压的任何终端对。此保护器时，可以使用
振铃发生器的配置可以研磨或电池备份。对于专用的地面支持铃声
发电机，该TISP3xxxF3提供了更好的保护，其导体间保护电压的两倍
导线对地的价值。
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信息
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POINN [ POWER INNOVATIONS LTD ]
