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F2211 参数 Datasheet PDF下载

F2211图片预览
型号: F2211
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内容描述: PATENTED金金属化的硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管 [PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 39 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
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F2211
POUT VS PIN GRAPH
CAPACITANCE VS VOLTAGE
F2C 2 DIE CAPACITANCE
100
Ciss
10
Coss
Crss
1
0
5
10
15
VDS IN VOLTS
20
25
30
IV CURVE
F2C 2 DIE IV CURVE
4.5
4
3.5
3
1
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
2
4
6
8
Vds in Volts
ID AND GM VS VGS
F2C 2 DIE GM & ID vs VGS
10
Id
Gm
0.1
10
12
14
16
0.01
0
2
4
6
Vgs in Volts
8
10
12
14
Vg = 2V
Vg = 4V
Vg = 6V
Vg = 8V
Vg = 10V
Vg = 12V
S11 AND S22 SMITH CHART
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
POLYFET RF DEVICES
REVISION 8/1/97
1110 Avenida Acaso, Camarillo, CA 93012 TEL:(805) 484-4210 FAX:(805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com