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L2821 参数 Datasheet PDF下载

L2821图片预览
型号: L2821
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内容描述: 硅栅增强型RF功率LDMOS晶体管 [SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 44 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
 浏览型号L2821的Datasheet PDF文件第1页  
L2821
POUT VS PIN GRAPH
L2821 Pin vs Pout F=500MHZ, VDS=12.5V,Idq=.2A
12
20.00
18.00
16.00
100
CAPACITANCE VS VOLTAGE
L2C1DIE CAPACITANCE
10
Ciss
8
Pout
6
Efficiency@8W=46%
14.00
12.00
10
Coss
Crss
4
Gain
2
10.00
8.00
6.00
1
0
2
4
6
8
10
12
14
0
0
0.5
1
Pin in Watts
1.5
2
VDS IN VOLTS
IV CURVE
L2C 1 DIE IV
9
8
7
6
ID IN AMPS
5
4
3
2
1
0
0
2
vg=2v
4
6
Vg=4v
8
10
12
VDS IN VOLTS
Vg=6v
vg=8v
14
vg=10v
16
18
vg=12v
20
0.1
0
2
4
1
10
100
ID & GM VS VGS
L2C 1 DIE
ID, GM vs VG
ID
GM
Vgs in Volts
6
8
10
12
14
Zin Zout
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
Tolerance .XX +/-0.01
.XXX +/-.005 inches
POLYFET RF DEVICES
REVISION 04/27/2001
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com