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LC801 参数 Datasheet PDF下载

LC801图片预览
型号: LC801
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内容描述: 硅栅增强型RF功率LDMOS晶体管 [SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 40 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
 浏览型号LC801的Datasheet PDF文件第1页  
LC801
POUT VS PIN GRAPH
LC801 Pin vs Pout Freq=500MHz,
Vds=28Vdc, Idq=.2A
30
18
17
25
16
20
10
100
CAPACITANCE VS VOLTAGE
L2B 1 DIE CAPACITANCE
Ciss
Coss
Pout
15
14
13
15
1
Crss
10
5
12
Efficiency = 55%
Gain
11
10
0.1
0
5
10
15
20
25
30
0
0
0.5
1
1.5
Pin in Watts
2
2.5
3
9
VDS IN VOLTS
IV CURVE
L2A 1 DICE IV
6
100
ID & GM VS VGS
L2B 1 DIE
ID, GM vs VG
5
4
ID IN AMPS
10
ID
3
2
1
1
GM
0
0
2
vg=2v
4
6
Vg=4v
8
10
12
VDS IN VOLTS
Vg=6v
vg=8v
14
vg=10v
16
18
vg=12v
20
0.1
0
2
4
6
8
10
12
14
Vgs in Volts
Zin Zout
PACKAGE DIMENSIONS IN INCHES
Tolerance .XX +/-0.01
.XXX +/-.005 inches
POLYFET RF DEVICES
REVISION 05/01/2001
1110 Avenida Acaso, Camarillo, Ca 93012 Tel:(805) 484-4210 FAX: (805) 484-3393 EMAIL:Sales@polyfet.com URL:www.polyfet.com