欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

F1001C 参数 Datasheet PDF下载

F1001C图片预览
型号: F1001C
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PATENTED金金属化的硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管 [PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 37 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
 浏览型号F1001C的Datasheet PDF文件第1页  
F1001C
POUT VS PIN GRAPH
F1001C POUT VS引脚IDQ = 0.1A ; F = 175 MHZ VDS = 28V
F1B 1裸片电容VS的Vds
35
30
20
19
18
16
15
15
10
5
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
2
1
0
5
10
15
以伏VDS
电容VS电压
100
POUT (瓦)
25
20
14
效率= 75%
13
12
11
10
PIN (瓦)
收益
增益以dB为单位
17
科斯
西塞
10
CRSS
20
25
30
IV曲线
F1B 1DIE IV曲线
6
ID和GM VS VGS
F1B 1 DIE GM & ID VS VG
10
Id
5
4
1
3
2
0.1
1
Gm
0
0
2
4
6
8
10
以伏VDS
12
14
16
18
20
0.01
0
2
4
6
8
10
12
14
VG = 2V
VG = 4V
VG = 6V
VG = 8V
VG = 10V
VG = 12V
VGS的电压
S11和S22 SMITH CHART
IN吋包装尺寸
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ,卡马里奥,CA 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com