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F1001 参数 Datasheet PDF下载

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型号: F1001
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内容描述: PATENTED金金属化的硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管 [PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 40 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
 浏览型号F1001的Datasheet PDF文件第2页  
polyfet射频器件
概述
硅VDMOS和LDMOS
晶体管专
宽带RF应用。
适用于军用无线通信设备,
移动和寻呼放大器
基站,广播FM / AM ,
MRI ,激光驱动器等。
TM
"Polyfet"工艺特点
金色的金属,可极大地延长
寿命。低输出电容
和高氟
t
加强宽带
性能
F1001
PATENTED金金属化
硅栅增强型
射频功率VDMOS晶体管
20瓦单端
包装样式AA
高效率,线性,
高增益,低噪声
绝对最大额定值( TC = 25℃ )
设备
耗散
50瓦
结到
热病例
阻力
3.13
o
C / W
最大
连接点
温度
o
200 C
存储
温度
直流漏
当前
电压
70 V
来源
电压
70 V
大门
来源
电压
30V
o
o
o
-65 ℃〜150℃
2 A
射频特性(
符号
全球定位系统
参数
共源功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
16
60
典型值
20WATTS OUTPUT)
最大
单位
dB
%
20:1
相对的
测试条件
IDQ = 0.2 A , VDS = 28.0 V,F = 175 MHz的
IDQ = 0.2 A , VDS = 28.0 V,F = 175 MHz的
IDQ = 0.2 A , VDS = 28.0 V,F = 175 MHz的
η
VSWR
电气特性(每边)
符号
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS
gM
RDSON
Idsat
西塞
CRSS
科斯
参数
漏极耐压
零偏置漏电流
栅极漏电流
栅极偏置的漏电流
正向跨导
饱和电阻
饱和电流
共源输入电容
共源反馈电容
共源输出电容
1
0.8
1
5.5
33
4
20
65
1
1
7
典型值
最大
单位
V
mA
uA
V
姆欧
欧姆
AMP
pF
pF
pF
测试条件
IDS = 0.05 A,
VDS = 28.0 V,
VDS = 0 V ,
IDS = 0.1 A ,
VGS = 0V
VGS = 0V
VGS = 30V
VGS - VDS
VDS = 10V , VGS = 5V
VGS = 20V , IDS = 4的
VGS = 20V , VDS = 10V
VDS = 28.0 V, VGS = 0V , F = 1兆赫
VDS = 28.0 V, VGS = 0V , F = 1兆赫
VDS = 28.0 V, VGS = 0V , F = 1兆赫
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ,卡马里奥,CA 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com