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F1003 参数 Datasheet PDF下载

F1003图片预览
型号: F1003
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内容描述: PATENTED金金属化的硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管 [PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 41 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
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F1003
POUT VS PIN GRAPH
F1003 POUT VS引脚IDQ = 0.6A F = 100MHz的VDS = 28V
100
90
80
70
60
50
40
30
20
效率 - 60 %
10
0
0
1
2
3
4
PIN (瓦)
收益
电容VS电压
F1B 3DIE电容
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
100
1000
科斯
西塞
CRSS
10
0
5
10
15
以伏VDS
5
6
7
8
20
25
30
IV曲线
F1B 3DIE IV曲线
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
以伏VDS
VG = 2V
VG = 4V
VG = 6V
VG = 8V
VG = 10V
VG = 12V
ID和GM VS VGS
F1B 3 DIE GM & ID VS VG
100
Id
10
1
Gm
12
14
16
18
20
0.1
0
2
4
6
VGS的电压
8
10
12
14
S11和S22 SMITH CHART
IN吋包装尺寸
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ,卡马里奥,CA 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com