欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

F1170 参数 Datasheet PDF下载

F1170图片预览
型号: F1170
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: PATENTED金金属化的硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管 [PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 46 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
 浏览型号F1170的Datasheet PDF文件第1页  
F1170
POUT VS PIN GRAPH
F1170 POUT VS引脚F = 175
MHZ ; IDQ = 1.6A ; VDS = 28.0V
300
250
18.00
200
150
15.00
100
50
12.00
0
0
2
4
6
8
10
12
14
16
电容VS电压
F1J 4 DICE电容
20.00
19.00
100
1000
西塞
科斯
CRSS
17.00
16.00
效率 - 55 %
14.00
13.00
10
11.00
18
收益
1
0
5
10
15
20
25
30
PIN (瓦)
以伏VDS
IV曲线
F1J4DICEIV
35
30
25
ID为安培
20
15
10
5
0
0
2
vg=2v
4
6
Vg=4v
8
10
12
V SINV L S
D
OT
vg=8v
14
vg=10v
16
18
vg=12v
20
ID和GM VS VGS
F1J 4 DICE ID & GM VS VG
100.00
ID安培;通用汽车在姆欧
10.00
Id
gM
1.00
0.10
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
Vg=6v
VGS的电压
S11和S22 SMITH CHART
IN吋包装尺寸
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ,卡马里奥,CA 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com