polyfet射频器件
概述
硅VDMOS和LDMOS
晶体管专
宽带RF应用。
适用于军用无线通信设备，
移动和寻呼放大器基地
站，广播FM / AM ， MRI ，
激光驱动器等。
"Polyfet"工艺特点
金色的金属，可极大地延长
寿命。低输出电容
和高氟
t
加强宽带
性能
TM
F1222
PATENTED金金属化
硅栅增强型
射频功率VDMOS晶体管
20瓦单端
包装样式AP
高效率，线性，
高增益，低噪声
绝对最大额定值（ TC = 25℃ ）
总
设备
耗散
80瓦
结到
热病例
阻力
2.1
o
C / W
最大
连接点
温度
200
o
C
存储
温度
直流漏
当前
漏
门
电压
50 V
漏
来源
电压
50 V
大门
来源
电压
30V
o
-65
o
C至150
o
C
4 A
射频特性（
符号
全球定位系统
参数
常见的源动力盖
漏EF网络效率
负载失配Toleranc
民
10
60
典型值
20WATTS OUTPUT）
最大
单位
dB
%
20:1
相对的
测试条件
IDQ = 0.8 A ， VDS = 12.5 V，F = 400 MHz的
IDQ = 0.8 A ， VDS = 12.5 V，F = 400 MHz的
IDQ = 0.8 A ， VDS = 12.5 V，F = 400 MHz的
η
VSWR
电气特性（每边）
符号
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS
gM
RDSON
Idsat
西塞
CRSS
科斯
参数
漏击穿Voltag
零偏置漏柯伦
栅极漏电流柯伦
栅极偏压的排水柯伦
转发Transconductanc
饱和Resistanc
饱和柯伦
共源输入Capacitanc
共源反馈Capacitanc
共源输出Capacitanc
1
1.6
0.45
15
80
12
60
民
40
2
1
7
典型值
最大
单位
V
mA
uA
V
姆欧
欧姆
AMP
pF
pF
pF
测试条件
IDS =
0.1 A,
VGS = 0V
VGS = 0V
VGS = 30V
VGS - VDS
VDS = 12.5 V，
VDS = 0 V ，
IDS = 0.2 A ，
VDS = 10V ， VGS = 5V
VGS = 20V ， IDS = 16 A
VGS = 20V ， VDS = 10V
VDS = 12.5 V， VGS = 0V ， F = 1兆赫
VDS = 12.5 V， VGS = 0V ， F = 1兆赫
VDS = 12.5 V， VGS = 0V ， F = 1兆赫
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ，卡马里奥，CA 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com
POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
