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F2002 参数 Datasheet PDF下载

F2002图片预览
型号: F2002
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内容描述: PATENTED金金属化的硅栅增强型RF功率VDMOS晶体管 [PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 41 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
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F2002
POUT VS PIN GRAPH
F2002 POUT VS PIN FREQ = 1000 MHz的; IDQ = 0.4A ; VDS = 28V
9
8
7
6
5
4
3
2
效率= 40%
1
0
0
0.5
1
PIN (瓦)
收益
电容VS电压
F2A 2裸片电容
13
12
100
收益
11
10
科斯
9
10
8
7
6
5
1.5
2
2.5
1
0
5
西塞
CRSS
10
15
以伏VDS
20
25
30
IV曲线
F2A 2 DIE IV曲线
3
ID和GM VS VGS
F2A 2死GM & ID VS VGS
10
2.5
Id
2
1
1.5
Gm
1
0.1
0.5
0
0
2
4
6
8
10
以伏VDS
VGS = 2V
VGS = 4V
VGS = 6V
VGS = 8V
VGS = 10V
12V VGS
12
14
16
18
20
0.01
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
VGS的电压
S11和S22 SMITH CHART
IN吋包装尺寸
polyfet射频器件
修订8/1/97
1110马路Acaso ,卡马里奥,CA 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com