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L2721 参数 Datasheet PDF下载

L2721图片预览
型号: L2721
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内容描述: 硅栅增强型RF功率LDMOS晶体管 [SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 44 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
 浏览型号L2721的Datasheet PDF文件第1页  
L2721
POUT VS PIN GRAPH
L2721 POUT VS PIN频率= 500MHz的,
VDS = 12.5V , IDQ = .2A
25
15.00
14.00
1000
电容VS电压
L1C 1DIE电容
20
15
13.00
12.00
100
西塞
科斯
1dB压缩= 12W
10
11.00
10
收益
5
10.00
9.00
1
CRSS
效率@ 15瓦特= 47 %
0
0
0.5
1
1.5
PIN (瓦)
2
2.5
3
8.00
0
5
10
15
20
25
30
以伏VDS
IV曲线
L1C 1 DIE四
16
14
12
ID为安培
10
8
10
100
ID & GM VS VGS
L1C 1 DIE
ID ,通用VS VG
ID
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
以伏VDS
Vg=6v
vg=8v
14
16
18
20
1
G
M
vg=2v
Vg=4v
vg=10v
vg=12v
0
2
4
6
8
VGS的电压
10
12
14
寻ZOUT
IN吋包装尺寸
公差.XX +/- 0.01
.XXX +/- 。 005英寸
polyfet射频器件
修订2001年9月4日
1110马路Acaso ,加利福尼亚州Camarillo 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com