polyfet射频器件
L8821P
概述
硅VDMOS和LDMOS
晶体管专
宽带RF应用。
适合Militry收音机，
移动和寻呼放大器基地
站，广播FM / AM ， MRI ，
激光驱动器等。
"Polyfet"工艺特点
较低的反馈和输出电容
导致高F音
t
晶体管高
输入阻抗和高效率。
TM
硅栅增强型
RF功率LDMOS晶体管
5.0瓦单端
包装样式S08 P
高效率，线性
高增益，低噪声
o
绝对最大额定值（T = 25℃ ）
总
设备
耗散
30瓦
结到
热病例
阻力
o
5.00 C / W
最大
连接点
温度
o
150 C
存储
温度
o
o
-65 ℃〜150℃
直流漏
当前
漏
门
电压
36 V
漏
来源
电压
36 V
大门
来源
电压
20 V
5.0 A
射频特性（
符号
全球定位系统
参数
共源功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
民
13
50
典型值
5.0瓦的输出）
最大
单位
dB
%
20:1
相对的
测试条件
IDQ = 0.20 A， VDS =
12.5
V，F =
IDQ = 0.20 A， VDS =
12.5
V，F =
500
兆赫
500
兆赫
η
VSWR
IDQ = 0.20 A， VDS =
12.5
V，F =
500
兆赫
电气特性（每边）
符号
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS
gM
RDSON
Idsat
西塞
CRSS
科斯
参数
漏极耐压
零偏置漏电流
栅极漏电流
栅极偏置的漏电流
正向跨导
饱和电阻
饱和电流
共源输入电容
共源反馈电容
共源输出电容
1
1.0
0.60
7.50
33.0
2.0
24.0
民
36
1.0
1
7
典型值
最大
单位
V
mA
uA
V
姆欧
欧姆
AMP
pF
pF
pF
测试条件
IDS =
0.10毫安， VGS = 0V
VDS = 12.5 V， VGS = 0V
VDS = 0V VGS = 30V
IDS = 0.10 A， VGS = Vds的
VDS = 10V ， VGS = 5V
VGS = 20V ， IDS = 3.00
VGS = 20V ， VDS = 10V
VDS = 12.5的Vgs = 0V ，F = 1 MHz的
VDS = 12.5的Vgs = 0V ，F = 1 MHz的
VDS = 12.5的Vgs = 0V ，F = 1 MHz的
polyfet射频器件
修订二零零一年十二月一十二日
1110马路Acaso ，加利福尼亚州Camarillo 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com
POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
