polyfet射频器件
LB421
概述
硅VDMOS和LDMOS
晶体管专
宽带RF应用。
适用于军用无线通信设备，
移动和寻呼放大器基地
站，广播FM / AM ， MRI ，
激光驱动器等。
"Polyfet"
TM
工艺特点
较低的反馈和输出电容，
导致高F音
t
晶体管高
输入阻抗和高效率。
硅栅增强型
RF功率LDMOS晶体管
35.0瓦推 - 拉
包装样式LB
高效率，线性
高增益，低噪声
符合RoHS
o
绝对最大额定值（T = 25℃ ）
总
设备
耗散
230瓦
结到
热病例
阻力
o
0.75 C / W
最大
连接点
温度
o
200 C
存储
温度
o
o
-65 ℃〜150℃
直流漏
当前
漏
门
电压
36 V
漏
来源
电压
36 V
大门
来源
电压
20 V
13.5 A
射频特性（
符号参数
全球定位系统
共源功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
民
13
55
典型值
35.0瓦的输出）
最大
单位测试条件
dB
%
10:1
相对的
IDQ = 0.40 ， VDS =
IDQ = 0.40 ， VDS =
12.5
V，F =
500
兆赫
12.5
V，F =
500
兆赫
500
兆赫
η
VSWR
IDQ = 0.40 ， VDS =
12.5
V，F =
电气特性（每边）
符号参数
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS
gM
RDSON
Idsat
西塞
CRSS
科斯
漏极耐压
零偏置漏电流
栅极漏电流
栅极偏置的漏电流
正向跨导
饱和电阻
饱和电流
共源输入电容
共源反馈电容
共源输出电容
2
2.7
0.28
17.00
80.0
5.0
60.0
民
36
1.0
1
5
典型值
最大
单位测试条件
V
mA
uA
V
姆欧
欧姆
AMP
pF
pF
pF
IDS = 25.00毫安， VGS = 0V
VDS = 12.5 V， VGS = 0V
VDS = 0V VGS = 30V
IDS = 0.30 A， VGS = Vds的
VDS = 10V ， VGS = 5V
VGS = 20V ， IDS = 8.00
VGS = 20V ， VDS = 10V
VDS = 12.5的Vgs = 0V ，F = 1 MHz的
VDS = 12.5的Vgs = 0V ，F = 1 MHz的
VDS = 12.5的Vgs = 0V ，F = 1 MHz的
polyfet射频器件
修订10/01/2007
1110马路Acaso ，加利福尼亚州Camarillo 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393电邮： Sell@polyfet.com网址： www.polyfet.com
POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
