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LX703 参数 Datasheet PDF下载

LX703图片预览
型号: LX703
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内容描述: 硅栅增强型RF功率LDMOS晶体管 [SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER LDMOS TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 40 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
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polyfet射频器件
LX703
概述
硅VDMOS和LDMOS
晶体管专
宽带RF应用。
适合Militry收音机,
移动和寻呼放大器基地
站,广播FM / AM , MRI ,
激光驱动器等。
"Polyfet"工艺特点
较低的反馈和输出电容
导致高F音
t
晶体管高
输入阻抗和高效率。
TM
硅栅增强型
RF功率LDMOS晶体管
100.0瓦单端
包装样式LX2
高效率,线性
高增益,低噪声
o
绝对最大额定值(T = 25℃ )
设备
耗散
220瓦
结到
热病例
阻力
o
0.75 C / W
最大
连接点
温度
o
200 C
存储
温度
o
o
-65 ℃〜150℃
直流漏
当前
电压
70 V
来源
电压
70 V
大门
来源
电压
20 V
13.0 A
射频特性( 100.0瓦的输出)
符号
全球定位系统
参数
共源功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
12
55
20:1
典型值
最大
单位
dB
%
测试条件
IDQ = 0.80 A, VDS =
28.0
V,F =
IDQ = 0.80 A, VDS =
28.0
V,F =
500
兆赫
500
兆赫
η
VSWR
相对IDQ = 0.80 A, VDS =
28.0
V,F =
500
兆赫
电气特性(每边)
符号
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS
gM
RDSON
Idsat
西塞
CRSS
科斯
参数
漏极耐压
零偏置漏电流
栅极漏电流
栅极偏置的漏电流
正向跨导
饱和电阻
饱和电流
共源输入电容
共源反馈电容
共源输出电容
1
4.8
0.25
30.00
180.0
4.8
90.0
65
6.0
1
7
典型值
最大
单位
V
mA
uA
V
姆欧
欧姆
AMP
pF
pF
pF
测试条件
IDS =
0.60毫安, VGS = 0V
VDS = 28.0 V, VGS = 0V
VDS = 0V VGS = 30V
IDS = 0.60 ,V GS = VDS
VDS = 10V , VGS = 5V
VGS = 20V ,IDS =
16.00 A
VGS = 20V , VDS = 10V
VDS = 28.0 VGS = 0V , F = 1兆赫
VDS = 28.0 VGS = 0V , F = 1兆赫
VDS = 28.0 VGS = 0V , F = 1兆赫
polyfet射频器件
修订2001年3月8日
1110马路Acaso ,加利福尼亚州Camarillo 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com