欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

SV401 参数 Datasheet PDF下载

SV401图片预览
型号: SV401
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 硅栅增强型RF功率VDMOSTRANSISTOR [SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOSTRANSISTOR]
分类和应用:
文件页数/大小: 2 页 / 48 K
品牌: POLYFET [ POLYFET RF DEVICES ]
 浏览型号SV401的Datasheet PDF文件第2页  
polyfet射频器件
SV401
概述
硅VDMOS和LDMOS
晶体管专
宽带RF应用。
适用于军用无线通信设备,
移动和寻呼放大器基地
站,广播FM / AM , MRI ,
激光驱动器等。
"Polyfet"
TM
工艺特点
较低的反馈和输出电容,
导致高F音
t
晶体管高
输入阻抗和高效率。
硅栅增强型
射频功率VDMOS晶体管
150.0瓦单端
包装样式AV
高效率,线性
高增益,低噪声
o
绝对最大额定值(T = 25℃ )
设备
耗散
270瓦
结到
热病例
阻力
o
0.65 C / W
最大
连接点
温度
o
200 C
存储
温度
o
o
-65 ℃〜150℃
直流漏
当前
电压
70 V
来源
电压
70 V
大门
来源
电压
20 V
16.0 A
射频特性( 150.0瓦的输出)
符号
全球定位系统
参数
共源功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
12
75
10:1
典型值
最大
单位
dB
%
相对的
测试条件
IDQ = 0.80 A, VDS =
28.0
V,F =
IDQ = 0.80 A, VDS =
28.0
V,F =
175
兆赫
175
兆赫
η
VSWR
IDQ = 0.80 A, VDS =
28.0
V,F =
175
兆赫
电气特性(每边)
符号
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS
gM
RDSON
Idsat
西塞
CRSS
科斯
参数
漏极耐压
零偏置漏电流
栅极漏电流
栅极偏置的漏电流
正向跨导
饱和电阻
饱和电流
共源输入电容
共源反馈电容
共源输出电容
1
7.2
0.16
42.00
300.0
15.0
200.0
65
6.0
1
7
典型值
最大
单位
V
mA
uA
V
姆欧
欧姆
AMP
pF
pF
pF
测试条件
IDS = 120.00毫安, VGS = 0V
VDS = 28.0 V, VGS = 0V
VDS = 0V VGS = 30V
IDS = 0.60 ,V GS = VDS
VDS = 10V , VGS = 5V
VGS = 20V ,IDS =
15.00 A
VGS = 20V , VDS = 10V
VDS = 28.0 VGS = 0V , F = 1兆赫
VDS = 28.0 VGS = 0V , F = 1兆赫
VDS = 28.0 VGS = 0V , F = 1兆赫
polyfet射频器件
修订2003年7月17日
1110马路Acaso ,加利福尼亚州Camarillo 93012电话: ( 805 ) 484-4210传真: ( 805 ) 484-3393电邮: Sales@polyfet.com网址: www.polyfet.com