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AT655 参数 Datasheet PDF下载

AT655图片预览
型号: AT655
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内容描述: 相位控制晶闸管 [PHASE CONTROL THYRISTOR]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 47 K
品牌: POSEICO [ POWER SEMICONDUCTORS ]
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ANSALDO
安萨尔多TRASPORTI股份公司
盟“ Semiconduttori
通过N.洛伦8 - 我16152 GENOVA - 意大利
电话: int类型。 + 39 / (0) 10 6556549 - ( 0)10 6556488
传真诠释。 + 39 / (0) 10 6442510
TX 270318 ANSUSE我 -
相位控制晶闸管
AT655
重复电压可达
意思是通态电流
浪涌电流
2800
V
1545
A
30
kA
最终的特定网络阳离子
二月97 - 问题: 03
符号
特征
条件
Tj
[°C]
125
125
125
价值
单位
闭塞
V
V
V
I
I
RRM
RSM
DRM
RRM
DRM
反向重复峰值电压
非重复性峰值反向电压
重复峰值断态电压
反向重复峰值电流
重复峰值断态电流
V = VRRM
V = VDRM
2800
2900
2800
70
70
V
V
V
mA
mA
125
125
I
I
I
V
V
r
T( AV )
T( AV )
TSM
意思是通态电流
意思是通态电流
浪涌通态电流
I²吨
通态电压
阈值电压
通态斜率电阻
180 °罪, 50赫兹, TH = 55 ° C,双面冷却
180 °罪, 50赫兹, TC = 85°C ,双面冷却
正弦波, 10毫秒
无反向电压
通态电流=
2900 A
25
125
125
125
1545
1330
30
4500 x1E3
1.8
1.05
0.290
A
A
kA
A²s
V
V
毫欧
I²吨
T
T( TO )
T
开关
的di / dt
dv / dt的
td
tq
Q RR
I RR
I
I
H
L
的通态电流,最小临界上升率。
断态电压,最小的临界上升率。
门控延迟时间,典型的
整流电路关断时间,典型的
反向恢复电荷
峰值反向恢复电流
保持电流,典型
擎住电流,典型
从75% VDRM高达1730 A,门10V 5欧姆
线性斜坡上升至VDRM的70%
VD = 100V ,栅源10V , 10欧姆, TR = 0.5微秒
的dV / dt = 20伏/微秒的线性高达75% VDRM
的di / dt = -20 A / μs的, I = 1140
VR = 50 V
VD = 5V ,门开路
VD = 5V , TP =为30μs
125
125
25
125
25
25
200
500
3
320
A / μs的
V / μs的
µs
µs
µC
A
300
700
mA
mA
V
I
V
V
I
V
P
P
GT
GT
GD
FGM
FGM
RGM
GM
G
门极触发电压
门极触发电流
非触发栅极电压,最小值。
峰值栅极电压(正向)
栅极峰值电流
峰值栅极电压(反向)
栅极峰值功耗
平均门功耗
VD=5V
VD=5V
VD = VDRM
25
25
125
3.5
300
0.25
30
10
5
V
mA
V
V
A
V
W
W
脉冲宽度为100μs
150
2
MOUNTING
R
R
T
F
号(j -h)中
个( C-H)
j
热阻抗, DC
热阻抗
工作结温
安装力
订购信息: AT655第28
标准规格
结到散热片,双面冷却
案件散热器,双面冷却
21
6
-30 / 125
22.0 / 24.5
520
C /千瓦
C /千瓦
°C
kN
g
VDRM&VRRM/100