三菱HVIGBT模块
CM1200HA-34H
HVIGBT （高压绝缘栅双极晶体管）模块
高功率开关使用
绝缘型
最大额定值
（ TJ = 25
°
C)
符号
V
CES
V
GES
I
C
I
CM
I
E（注2 ）
I
EM （注2）
P
C（注3 ）
T
j
T
英镑
V
ISO
—
—
项
集电极 - 发射极电压
栅极 - 发射极电压
集电极电流
发射极电流
最大集电极耗散
结温
储存温度
隔离电压
安装力矩
块
V
GE
= 0V
V
CE
= 0V
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25°C
脉冲
T
C
= 25 ° C， IGBT的一部分
条件
评级
1700
±20
1200
2400
1200
2400
12500
–40 ~ +150
–40 ~ +125
4000
6.67 ~ 13.00
2.84 ~ 6.00
0.88 ~ 2.00
1.5
单位
V
V
A
A
A
A
W
°C
°C
V
N·m的
N·m的
N·m的
kg
（注1 ）
（注1 ）
—
—
带电部分底板， RMS ，正弦， 60Hz的交流电1分钟。
主端子螺钉M8
安装螺钉M6
辅助端子螺丝M4
典型的价值
电气特性
（ TJ = 25
°
C)
符号
I
CES
V
GE （日）
I
GES
V
CE （ SAT ）
C
IES
C
OES
C
水库
Q
G
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
统（注2）
t
RR （注2 ）
Q
RR （注2 ）
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）R
R
TH（ C-F ）
注： 1 。
2.
3.
4.
项
收藏家Cuto FF电流
栅极 - 射极
阈值电压
栅极漏电流
集电极 - 发射极
饱和电压
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
发射极 - 集电极电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
热阻
接触热阻
条件
V
CE
= V
CES
, V
GE
= 0V
I
C
= 120毫安，V
CE
= 10V
V
GE
= V
GES
, V
CE
= 0V
T
j
= 25°C
I
C
= 1200A ，V
GE
= 15V
T
j
= 125°C
V
CE
= 10V
V
GE
= 0V
V
CC
= 850V ，我
C
= 1200A ，V
GE
= 15V
V
CC
= 850V ，我
C
= 1200A
V
GE1
= V
GE2
= 15V
R
G
= 1.6Ω
阻性负载开关操作
I
E
= 1200A ，V
GE
= 0V
I
E
= 1200A
模具/ DT = -2400A /
µs
结到管壳， IGBT的一部分
结到外壳， FWDI部分
案例鳍，导电脂应用
民
—
4.5
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
范围
典型值
—
5.5
—
2.75
3.30
140
20.0
7.6
6.6
—
—
—
—
2.40
—
200
—
—
0.008
最大
24
6.5
0.5
3.58
—
—
—
—
—
1.20
1.50
2.00
0.60
3.12
2.00
—
0.010
0.032
—
单位
mA
V
µA
V
nF
nF
nF
µC
µs
µs
µs
µs
V
µs
µC
K / W
K / W
K / W
（注4 ）
脉冲宽度和重复速率应使得该器件的结温。 （T
j
）不超过牛逼
JMAX
投资评级。
I
E
, V
EC
, t
rr
, Q
rr
&模/ dt的代表反平行的特点，发射极 - 集电极续流二极管。
结温（T
j
）不应增加超过150℃。
脉冲宽度和重复速率应是这样的，使得可以忽略的温度上升。
HVIGBT模块（高压绝缘栅双极晶体管模块）
2000年2月
POWEREX [ POWEREX POWER SEMICONDUCTORS ]
