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CM150DU-24F 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CM150DU-24F
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内容描述: 沟槽栅设计的双IGBTMOD⑩ 150安培/ 1200伏 [Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 150 Amperes/1200 Volts]
分类和应用: 双极性晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 94 K
品牌: POWEREX [ POWEREX POWER SEMICONDUCTORS ]
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CM150DU-24F
Powerex公司,公司,希利斯街200号,扬伍德,宾夕法尼亚15697-1800 ( 724 ) 925-7272
沟槽栅设计
双IGBTMOD ™
150安培/ 1200伏
TC量具
A
D
T( 4 TYP 。 )
F
G2
CM
E2
H
U
J
H
C2E1
E2
C1
E1
G1
V
Q
的S - 螺母( 3 TYP )
K
K
Q
P
N
G
K
R
M
C
L
G2
E2
RTC
C2E1
E2
RTC
E1
G1
描述:
POWEREX IGBTMOD ™模块
用于开关的设计
应用程序。每个模块由
两个IGBT晶体管在一个半
每个转录桥配置
体管具有一个反向连接的
超快速恢复自由轮
二极管。所有的组件和接口
所连接被从分离
散热底座,提供
简化的系统组装及
热管理。
产品特点:
低驱动电源
低V
CE ( SAT )
离散超快速恢复
续流二极管
隔离式底座,方便
散热
应用范围:
交流电动机的控制
UPS
电池供电耗材
订货信息:
例如:选择完整
你想要的模块数量
表 - 即CM150DU - 24F是
1200V (V
CES
) , 150安培双
IGBTMOD ™电源模块。
TYPE
CM
额定电流
安培
150
V
CES
伏( ×50 )
24
C1
外形图和电路图
尺寸
A
B
C
D
E
F
G
H
J
K
英寸
4.25
2.44
MILLIMETERS
108.0
62.0
尺寸
L
M
N
P
Q
R
S
T
U
V
英寸
0.87
0.33
0.10
0.85
0.98
0.11
M6
0.26Dia.
0.02
0.62
MILLIMETERS
22.0
8.5
2.5
21.5
25.0
2.8
M6
6.5直径。
0.5
15.85
1.14 +0.04/-0.02 29.0 +1.0/-0.5
3.66±0.01
1.88±0.01
0.67
0.16
0.24
0.59
0.55
93.0±0.25
48.0±0.25
17.0
4.0
6.0
15.0
14.0
1