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    CM200TU-5F 参数 Datasheet PDF下载

    CM200TU-5F图片预览
    型号： CM200TU-5F
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 沟槽栅设计六IGBTMOD⑩ 200安培/ 250伏 [Trench Gate Design Six IGBTMOD⑩ 200 Amperes/250 Volts]
    分类和应用： 晶体晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 75 K
    品牌： POWEREX [ POWEREX POWER SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号CM200TU-5F的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CM200TU-5F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CM200TU-5F的Datasheet PDF文件第4页  
    Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
    CM200TU-5F
    沟槽栅设计六IGBTMOD ™
    200安培/ 250伏
    输出特性
    （典型值）
    传输特性
    （典型值）
    集电极 - 发射极
    饱和电压特性
    （典型值）
    400
    集电极电流，I
    C
    （安培）
    10
    V
    GE
    = 15V
    8 6
    400
    集电极 - 发射极
    饱和电压V
    CE （ SAT ）
    （伏
    )
    集电极电流，I
    C
    （安培）
    2.0
    V
    CE
    = 10V
    T
    j
    = 25°C
    T
    j
    = 125°C
    V
    GE
    = 10V
    T
    j
    = 25°C
    T
    j
    = 125°C
    5.75
    T
    j
    = 25
    o
    C
    5.5
    300
    300
    1.5
    200
    5.25
    200
    1.0
    100
    5
    4.75
    4.5
    100
    0.5
    0
    0
    1
    2
    3
    0
    5
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    栅极 - 发射极电压V
    GE
    （伏）
    0
    0
    80
    160
    240
    320
    400
    集电极电流，I
    C
    （安培）
    4
    集电极 - 发射极电压，V
    CE
    （伏）
    集电极 - 发射极
    饱和电压特性
    （典型值）
    续流二极管
    正向特性
    （典型值）
    电容与V
    CE
    （典型值）
    5
    集电极 - 发射极
    饱和电压VCE （SAT） ， （伏）
    10
    3
    T
    j
    = 25°C
    10
    2
    T
    j
    = 25°C
    电容C
    IES
    , C
    OES
    , C
    水库
    （ NF）
    4
    3
    2
    1
    发射极电流，I
    E
    （安培）
    C
    IES
    10
    1
    I
    C
    = 400A
    I
    C
    = 200A
    10
    2
    C
    OES
    10
    0
    C
    水库
    V
    GE
    = 0V
    F = 1MHz的
    I
    C
    = 80A
    0
    0
    5
    10
    15
    栅极 - 发射极电压V
    GE
    （伏）
    10
    1
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    1.4
    1.6
    1.8
    10
    -1
    10
    -1
    10
    0
    10
    1
    10
    2
    发射极 - 集电极电压V
    EC
    （伏）
    集电极 - 发射极电压，V
    CE
    （伏）
    半桥
    开关特性
    （典型值）
    反向恢复特性
    （典型值）
    反向恢复电流，I
    rr
    （安培）
    栅极电荷V
    GE
    10
    3
    反向恢复时间，T
    rr
    （纳秒）
    10
    3
    的di / dt = -400A /微秒
    T
    j
    = 25°C
    t
    rr
    20
    栅极 - 发射极电压V
    GE
    （伏）
    I
    C
    = 200A
    切换时间（纳秒）
    15
    V
    CC
    = 50V
    V
    CC
    = 100V
    10
    2
    10
    2
    10
    I
    rr
    5
    10
    1
    10
    1
    集电极电流，I
    C
    （安培）
    10
    1
    10
    2
    10
    3
    0
    0
    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    栅极电荷，Q
    G
    , ( C)
    发射极 - 集电极电压V
    EC
    （伏）
    3

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