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    CM400HB-90H 参数 Datasheet PDF下载

    CM400HB-90H图片预览
    型号： CM400HB-90H
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 单IGBTMOD⑩ HVIGBT 400安培/ 4500伏 [Single IGBTMOD⑩ HVIGBT 400 Amperes/4500 Volts]
    分类和应用： 双极性晶体管
    文件页数/大小： 4 页 / 68 K
    品牌： POWEREX [ POWEREX POWER SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号CM400HB-90H的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CM400HB-90H的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CM400HB-90H的Datasheet PDF文件第3页  
    Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272
    CM400HB-90H
    单IGBTMOD ™ HVIGBT
    400安培/ 4500伏
    集电极 - 发射极
    饱和电压特性
    （典型值）
    续流二极管
    正向特性
    （典型值）
    瞬态热
    阻抗特性
    （IGBT）
    归一化瞬态热阻抗，Z
    日（J -C ）
    Z
    th
    = R
    th
    • （标准值）
    6
    发射极 - 集电极电压V
    EC
    （伏）
    6
    V
    GE
    = 15V
    T
    j
    = 25°C
    T
    j
    = 125°C
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0
    10
    -3
    单脉冲
    T
    C
    = 25°C
    每单元基准= R
    日（J -C ）
    = 0.023 K / W
    集电极 - 发射极
    饱和电压V
    CE （ SAT ）
    （伏）
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    0
    5
    4
    3
    2
    1
    0
    T
    j
    = 25°C
    T
    j
    = 125°C
    200
    400
    600
    800
    1000
    0
    200
    400
    600
    800
    1000
    10
    -2
    TIME ， （S ）
    10
    -1
    10
    0
    集电极电流，I
    C
    （安培）
    发射极电流，I
    E
    （安培）
    瞬态热
    阻抗特性
    （ FWDI ）
    归一化瞬态热阻抗，Z
    日（J -C ）
    Z
    th
    = R
    th
    • （标准值）
    半桥导通开关
    能量特性
    （典型值）
    半桥关断开关
    能量特性
    （典型值）
    1.2
    1.0
    0.8
    0.6
    0.4
    0.2
    0
    10
    -3
    导通开关能量E
    on
    ， （J / P）的
    5
    关断开关能量E
    关闭
    ， （J / P）的
    3.0
    V
    CC
    = 2250V
    V
    GE
    =
    ±15V
    R
    G
    = 22.5Ω
    L
    S
    = 180nH
    T
    j
    = 125°C
    感性负载整合
    超过10％的范围
    单脉冲
    T
    C
    = 25°C
    每单元基准= R
    日（J -C ）
    = 0.045 K / W
    4
    2.5
    2.0
    1.5
    1.0
    0.5
    0
    0
    3
    V
    CC
    = 2250V
    V
    GE
    =
    ±15V
    R
    G
    = 22.5Ω
    L
    S
    = 180nH
    T
    j
    = 125°C
    感性负载整合
    超过10％的范围
    2
    1
    10
    -2
    TIME ， （S ）
    10
    -1
    10
    0
    0
    0
    200
    400
    600
    800
    集电极电流，I
    C
    （安培）
    200
    400
    600
    800
    集电极电流，I
    C
    （安培）
    续流二极管
    反向恢复特性
    （典型值）
    导通开关
    安全工作区（ RBSOA ）
    （典型值）
    二极管的反向恢复
    安全工作区
    （典型值）
    0.30
    反向恢复能量E
    REC
    ， （J / P）的
    集电极电流，I
    C
    （伏）
    1000
    反向恢复电流，I
    rr
    （安培）
    1500
    1250
    1000
    750
    500
    250
    0
    0
    1000
    2000
    3000
    4000
    5000
    0
    1000
    2000
    3000
    4000
    集电极 - 发射极电压，V
    CE
    （伏）
    集电极 - 发射极电压，V
    CE
    （伏）
    0.25
    0.20
    0.15
    0.10
    0.05
    0
    0
    200
    400
    600
    800
    发射极电流，I
    E
    （安培）
    800
    600
    V
    CC
    = 2250V
    V
    GE
    =
    ±15V
    R
    G
    = 22.5Ω
    L
    S
    = 180nH
    T
    j
    = 125°C
    感性负载整合
    超过10％的范围
    IGBT的驱动条件
    400
    V
    CC
    = 3000V
    V
    GE
    =
    ±15V
    R
    G
    = 22.5Ω
    L
    S
    = 100nH的
    T
    j
    = 125°C
    200
    0
    4

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