CM75DU-24F 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CM75DU-24F
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内容描述：	沟槽栅设计的双IGBTMOD⑩ 75安培/ 1200伏 [Trench Gate Design Dual IGBTMOD⑩ 75 Amperes/1200 Volts]
分类和应用：	双极性晶体管栅
文件页数/大小：	4 页 / 110 K
品牌：	POWEREX [ POWEREX POWER SEMICONDUCTORS ]

CM75DU-24F

Powerex公司，公司，希利斯街200号，扬伍德，宾夕法尼亚15697-1800 （ 724 ） 925-7272

沟槽栅设计

双IGBTMOD ™

75安培/ 1200伏

P - 螺母（ 3处）

TC量具

点

Q（ 2处）

E2G2

C2E1

G1E1

RTC

C2E1

RTC

描述：

POWEREX IGBTMOD ™模块

用于开关的设计

应用程序。每个模块由

两个IGBT晶体管在一个半

每个转录桥配置

体管具有一个反向连接的

超快速恢复自由轮

二极管。所有的组件和接口

所连接被从分离

散热底座，提供

简化的系统组装及

热管理。

产品特点：

□

低驱动电源

□

低V

CE （ SAT ）

□

离散超快速恢复

续流二极管

□

隔离式底座，方便

散热

应用范围：

□

交流电动机的控制

□

UPS

□

电池供电耗材

订货信息：

例如：选择完整

你想要的模块数量

表 - 即CM75DU - 24F是

1200V (V

CES

）， 75安培双

IGBTMOD ™电源模块。

TYPE

额定电流

安培

CES

伏（ ×50 ）

外形图和电路图

尺寸

英寸

3.70

1.89

MILLIMETERS

94.0

48.0

尺寸

英寸

0.53

0.91

1.13

0.67

0.28

0.26直径。

0.16

MILLIMETERS

13.5

23.0

28.7

17.0

7.0

6.5直径。

4.0

1.18 +0.04/-0.02 30.0 +1.0/-0.5

3.15±0.01

0.43

0.16

0.71

0.02

80.0±0.25

11.0

4.0

18.0

0.5

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