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FK10UM-10 参数 Datasheet PDF下载

FK10UM-10图片预览
型号: FK10UM-10
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内容描述: 高速开关使用 [HIGH-SPEED SWITCHING USE]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管局域网
文件页数/大小: 5 页 / 60 K
品牌: POWEREX [ POWEREX POWER SEMICONDUCTORS ]
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三菱N沟道功率MOSFET
FK10UM-10
高速开关使用
20
输出特性
(典型值)
V
GS
= 20V
10V
6V
漏电流I
D
(A)
10
输出特性
(典型值)
V
GS
= 20V 10V 6V
P
D
= 125W
漏电流I
D
(A)
16
T
C
= 25°C
脉冲测试
8
12
6
5V
T
C
= 25°C
脉冲测试
8
5V
P
D
=
125W
4
4
2
4V
0
0
10
20
30
40
50
0
0
4
8
12
16
20
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
导通电压VS.
栅源电压
(典型值)
40
漏极 - 源极导通状态
电压V
DS ( ON)
(V)
漏极 - 源极导通状态
电阻R
DS ( ON)
(Ω)
通态电阻VS.
漏电流
(典型值)
2.0
T
C
= 25°C
脉冲测试
1.6
T
C
= 25°C
脉冲测试
32
I
D
= 20A
V
GS
= 10V
20V
24
1.2
16
10A
8
5A
0
4
8
12
16
20
0.8
0.4
0
10
–1
2 3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
漏电流I
D
(A)
0
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
传输特性
(典型值)
20
T
C
= 25°C
V
DS
= 50V
脉冲测试
10
1
7
5
正向传递
导纳
y
fs
(S)
正向转移导纳
VS.DRAIN CURRENT
(典型值)
V
DS
= 10V
脉冲测试
T
C
=25°C
75°C
125°C
漏电流I
D
(A)
16
12
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1 –1
10
2 3
5 7 10
0
8
4
0
0
4
8
12
16
20
2 3
5 7 10
1
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
Feb.1999