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    FS100UMJ-03 参数 Datasheet PDF下载

    FS100UMJ-03图片预览
    型号： FS100UMJ-03
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道功率MOSFET的高速开关使用 [Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE]
    分类和应用： 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
    文件页数/大小： 4 页 / 47 K
    品牌： POWEREX [ POWEREX POWER SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号FS100UMJ-03的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FS100UMJ-03的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FS100UMJ-03的Datasheet PDF文件第4页  
    三菱N沟道功率MOSFET
    FS100UMJ-03
    高速开关使用
    电气特性
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    GS （ TH）
    r
    DS （ ON）
    r
    DS （ ON）
    V
    DS （ ON）
    y
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    SD
    R
    TH（ CH-C ）
    t
    rr
    参数
    漏源击穿电压
    栅极 - 源极漏电流
    漏极 - 源极漏电流
    门源阈值电压
    （总胆固醇= 25 ℃）下
    测试条件
    I
    D
    = 1mA时， V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    =
    ±20V,
    V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = 30V, V
    GS
    = 0V
    I
    D
    = 1mA时， V
    DS
    = 10V
    I
    D
    = 50A ，V
    GS
    = 10V
    I
    D
    = 50A ，V
    GS
    = 4V
    I
    D
    = 50A ，V
    GS
    = 10V
    I
    D
    = 50A ，V
    DS
    = 10V
    V
    DS
    = 10V, V
    GS
    = 0V ， F = 1MHz的
    范围
    分钟。
    30
    —
    —
    1.0
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    典型值。
    —
    —
    —
    1.5
    3.5
    4.7
    0.175
    80
    8000
    2250
    1300
    55
    190
    800
    470
    1.0
    —
    100
    马克斯。
    —
    ±0.1
    0.1
    2.0
    4.7
    8.0
    0.235
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    1.5
    1.00
    —
    单位
    V
    µA
    mA
    V
    mΩ
    mΩ
    V
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    ° C / W
    ns
    漏源导通电阻
    漏源导通电阻
    漏源通态电压
    正向转移导纳
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    源 - 漏电压
    热阻
    反向恢复时间
    V
    DD
    = 15V ，我
    D
    = 50A ，V
    GS
    = 10V ，R
    根
    = R
    GS
    = 50Ω
    I
    S
    = 50A ，V
    GS
    = 0V
    渠道情况
    I
    S
    = 50A ， DIS / DT = -50A /微秒
    性能曲线
    功耗降额曲线
    200
    功耗P
    D
    (W)
    漏电流I
    D
    (A)
    最大安全工作区
    5
    3
    2
    10
    2
    7
    5
    3
    2
    10
    1
    7
    5
    3
    2
    10
    0
    7
    5
    TW = 10毫秒
    100ms
    1ms
    10ms
    DC
    T
    C
    = 25°C
    单脉冲
    160
    120
    80
    40
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    3 5 7 10
    0
    2 3 5 7 10
    1
    2 3 5 7 10
    2
    2 3
    漏源电压V
    DS
    (V)
    输出特性
    （典型值）
    案例温度T
    C
    (°C)
    输出特性
    （典型值）
    100
    V
    GS
    = 10V
    6V
    3V
    5V
    4V
    T
    C
    = 25°C
    脉冲测试
    50
    V
    GS
    = 10V
    6V
    40
    5V
    4V
    3V
    漏电流I
    D
    (A)
    80
    60
    漏电流I
    D
    (A)
    30
    40
    2V
    20
    2V
    20
    10
    T
    C
    = 25°C
    脉冲测试
    0
    0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    0
    0
    0.1
    0.2
    0.3
    0.4
    0.5
    漏源电压V
    DS
    (V)
    漏源电压V
    DS
    (V)
    Feb.1999

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