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    FS5ASJ-3 参数 Datasheet PDF下载

    FS5ASJ-3图片预览
    型号： FS5ASJ-3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道功率MOSFET的高速开关使用 [Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE]
    分类和应用： 开关
    文件页数/大小： 4 页 / 45 K
    品牌： POWEREX [ POWEREX POWER SEMICONDUCTORS ]
     浏览型号FS5ASJ-3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FS5ASJ-3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号FS5ASJ-3的Datasheet PDF文件第4页  
    三菱N沟道功率MOSFET
    FS5ASJ-3
    高速开关使用
    电气特性
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    GSS
    I
    DSS
    V
    GS （ TH）
    r
    DS （ ON）
    r
    DS （ ON）
    V
    DS （ ON）
    y
    fs
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    V
    SD
    R
    TH（ CH-C ）
    t
    rr
    参数
    漏源击穿电压
    栅极 - 源极漏电流
    漏极 - 源极漏电流
    门源阈值电压
    （总胆固醇= 25 ℃）下
    测试条件
    I
    D
    = 1mA时， V
    GS
    = 0V
    V
    GS
    =
    ±20V,
    V
    DS
    = 0V
    V
    DS
    = 150V, V
    GS
    = 0V
    I
    D
    = 1mA时， V
    DS
    = 10V
    I
    D
    = 2A ，V
    GS
    = 10V
    I
    D
    = 2A ，V
    GS
    = 4V
    I
    D
    = 2A ，V
    GS
    = 10V
    I
    D
    = 2A ，V
    DS
    = 5V
    V
    DS
    = 10V, V
    GS
    = 0V ， F = 1MHz的
    范围
    分钟。
    150
    —
    —
    1.0
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    典型值。
    —
    —
    —
    1.5
    0.27
    0.28
    0.54
    9.5
    800
    100
    35
    14
    17
    65
    31
    1.0
    —
    85
    马克斯。
    —
    ±0.1
    0.1
    2.0
    0.35
    0.37
    0.70
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    —
    1.5
    4.17
    —
    单位
    V
    µA
    mA
    V
    Ω
    Ω
    V
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    V
    ° C / W
    ns
    漏源导通电阻
    漏源导通电阻
    漏源通态电压
    正向转移导纳
    输入电容
    输出电容
    反向传输电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    源 - 漏电压
    热阻
    反向恢复时间
    V
    DD
    = 80V ，我
    D
    = 2A ，V
    GS
    = 10V ，R
    根
    = R
    GS
    = 50Ω
    I
    S
    = 2A ，V
    GS
    = 0V
    渠道情况
    I
    S
    = 5A ， DIS / DT = -100A / μs的
    性能曲线
    功耗降额曲线
    50
    功耗P
    D
    (W)
    漏电流I
    D
    (A)
    最大安全工作区
    3
    2
    10
    1
    7
    5
    3
    2
    10
    0
    7
    5
    3
    2
    TW = 10毫秒
    40
    30
    100ms
    1ms
    10ms
    DC
    20
    10
    0
    0
    50
    100
    150
    200
    10
    –1
    7
    5
    T
    C
    = 25°C
    3
    单脉冲
    2
    2 3 5 7 10
    1
    2 3 5 7 10
    2
    2 3 5 7 10
    3
    2
    漏源电压V
    DS
    (V)
    输出特性
    （典型值）
    5.0
    V
    GS
    = 10V 4V 3.5V 3V
    T
    C
    = 25°C
    脉冲测试
    案例温度T
    C
    (°C)
    输出特性
    （典型值）
    10
    V
    GS
    = 10V 4V 3.5V
    T
    C
    = 25°C
    脉冲测试
    3V
    漏电流I
    D
    (A)
    8
    漏电流I
    D
    (A)
    4.0
    2.5V
    6
    P
    D
    = 30W
    3.0
    4
    2.5V
    2.0
    2
    2V
    1.0
    2V
    0
    0
    1.0
    2.0
    3.0
    4.0
    5.0
    0
    0
    0.4
    0.8
    1.2
    1.6
    2.0
    漏源电压V
    DS
    (V)
    漏源电压V
    DS
    (V)
    Feb.1999

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