欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

FS5KM-10 参数 Datasheet PDF下载

FS5KM-10图片预览
型号: FS5KM-10
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: N沟道功率MOSFET的高速开关使用 [Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE]
分类和应用: 晶体开关晶体管脉冲局域网
文件页数/大小: 4 页 / 52 K
品牌: POWEREX [ POWEREX POWER SEMICONDUCTORS ]
 浏览型号FS5KM-10的Datasheet PDF文件第1页浏览型号FS5KM-10的Datasheet PDF文件第2页浏览型号FS5KM-10的Datasheet PDF文件第3页  
三菱N沟道功率MOSFET
FS5KM-10
高速开关使用
栅源电压
VS.GATE CHARGE
(典型值)
20
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
源电流我
S
(A)
源极 - 漏极二极管
正向特性
(典型值)
20
VGS = 0V
脉冲测试
16 T
C
= 125°C
25°C
75°C
8
TCH = 25°C
I
D
= 5A
16
V
DS
= 100V
200V
12
400V
12
8
4
4
0
0
8
16
24
32
40
0
0
0.8
1.6
2.4
3.2
4.0
栅极电荷q
g
( NC )
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(25°C)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(T ° C)
通态电阻VS.
通道温度
(典型值)
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
–50
0
50
100
150
5.0
门极 - 源
电压V
GS ( TH)
(V)
阈值电压 -
通道温度
(典型值)
V
DS
= 10V
I
D
= 1毫安
4.0
V
GS
= 10V
I
D
= 1/2I
D
脉冲测试
3.0
2.0
1.0
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch ( ° C)
沟道温度Tch ( ° C)
瞬态热阻抗Z
日( CH - C )
( ° C / W)
漏源击穿电压V
BR ( DSS )
(25°C)
漏源击穿电压V
BR ( DSS )
(T ° C)
击穿电压VS.
通道温度
(典型值)
1.4
V
GS
= 0V
I
D
= 1毫安
1.2
瞬态热阻抗
特征
10
1
7
5 D=1
3 0.5
2
10
0
7
5
3
2
10
–1
7
5
3
2
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
P
DM
tw
T
D = TW
T
1.0
0.8
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2
10
–4
2 3 5710
–3
2 3 5710
–2
2 3 5710
–1
2 3 5710
0
2 3 5710
1
2 3 5710
2
脉冲宽度t
w
(s)
Feb.1999
沟道温度Tch ( ° C)