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FS70UMJ-2 参数 Datasheet PDF下载

FS70UMJ-2图片预览
型号: FS70UMJ-2
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内容描述: N沟道功率MOSFET的高速开关使用 [Nch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE]
分类和应用: 开关
文件页数/大小: 4 页 / 48 K
品牌: POWEREX [ POWEREX POWER SEMICONDUCTORS ]
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三菱N沟道功率MOSFET
FS70UMJ-2
高速开关使用
电气特性
符号
V
( BR ) DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS ( TH)
r
DS ( ON)
r
DS ( ON)
V
DS ( ON)
y
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
V
SD
R
TH( CH-C )
t
rr
参数
漏源击穿电压
栅极 - 源极漏电流
漏极 - 源极漏电流
门源阈值电压
(总胆固醇= 25 ℃)下
测试条件
I
D
= 1mA时, V
GS
= 0V
V
GS
=
±20V,
V
DS
= 0V
V
DS
= 100V, V
GS
= 0V
I
D
= 1mA时, V
DS
= 10V
I
D
= 35A ,V
GS
= 10V
I
D
= 35A ,V
GS
= 4V
I
D
= 35A ,V
GS
= 10V
I
D
= 35A ,V
DS
= 10V
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V , F = 1MHz的
范围
分钟。
100
1.0
典型值。
1.5
13
14
0.46
68
8200
1150
600
54
140
830
350
1.0
115
马克斯。
±0.1
0.1
2.0
17
18
0.60
1.5
1.00
单位
V
µA
mA
V
mΩ
mΩ
V
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V
° C / W
ns
漏源导通电阻
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
源 - 漏电压
热阻
反向恢复时间
V
DD
= 50V ,我
D
= 35A ,V
GS
= 10V ,R
= R
GS
= 50Ω
I
S
= 35A ,V
GS
= 0V
渠道情况
I
S
= 70A , DIS / DT = -100A / μs的
性能曲线
功耗降额曲线
200
功耗P
D
(W)
漏电流I
D
(A)
最大安全工作区
3
2
10
2
7
5
3
2
10
1
7
5
3
2
10
0
7
5
3
T
C
= 25°C
单脉冲
TW = 10毫秒
100ms
1ms
10ms
160
120
80
40
DC
0
0
50
100
150
200
3 5 7 10
0
2 3 5 7 10
1
2 3 5 7 10
2
2 3
漏源电压V
DS
(V)
输出特性
(典型值)
案例温度T
C
(°C)
输出特性
(典型值)
100
T
C
= 25°C
脉冲测试
50
P
D
= 125W
T
C
= 25°C
脉冲测试
V
GS
= 10V
5V
4V
3.5V
漏电流I
D
(A)
80
V
GS
= 10V
6V
5V
4V
3V
漏电流I
D
(A)
40
3V
60
30
40
20
2.5V
20
10
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
漏源电压V
DS
(V)
漏源电压V
DS
(V)
Feb.1999