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FX20ASJ-2 参数 Datasheet PDF下载

FX20ASJ-2图片预览
型号: FX20ASJ-2
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内容描述: P沟道功率MOSFET的高速开关使用 [Pch POWER MOSFET HIGH-SPEED SWITCHING USE]
分类和应用: 晶体开关晶体管功率场效应晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 53 K
品牌: POWEREX [ POWEREX POWER SEMICONDUCTORS ]
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三菱P沟道功率MOSFET
FX20ASJ-2
高速开关使用
源极 - 漏极二极管
正向特性
(典型值)
–50
V
GS
= 0V
脉冲测试
栅源电压
VS.GATE CHARGE
(典型值)
栅极 - 源极电压V
GS
(V)
–10
TCH = 25°C
I
D
= –20A
源电流我
S
(A)
–8
V
DS
=
–20V
–40
–6
–50V
–80V
–30
T
C
=
25°C
75°C
–4
–20
125°C
–2
–10
0
0
10
20
30
40
50
0
0
–0.4
–0.8
–1.2
–1.6
–2.0
栅极电荷q
g
( NC )
源极 - 漏极电压V
SD
(V)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(25°C)
漏源通态电阻R
DS ( ON)
(T ° C)
通态电阻VS.
通道温度
(典型值)
10
1
–4.0
7
5
4
3
2
V
GS
= –10V
I
D
= 1/2I
D
脉冲测试
阈值电压 -
通道温度
(典型值)
V
DS
= –10V
I
D
= -1mA
门极 - 源
电压V
GS ( TH)
(V)
–3.2
–2.4
10
0
7
5
4
3
2
–1.6
–0.8
10
–1
–50
0
50
100
150
0
–50
0
50
100
150
沟道温度Tch ( ° C)
沟道温度Tch ( ° C)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(25°C)
瞬态热阻抗Z
TH( CH-C )
( ° C / W)
漏源击穿电压V
( BR ) DSS
(T ° C)
击穿电压VS.
通道温度
(典型值)
1.4
V
GS
= 0V
I
D
= -1mA
瞬态热阻抗
特征
10
1
7
5 D = 1.0
3
0.5
2
0.2
7
5
3
2
0.1
0.05
0.02
0.01
单脉冲
1.2
10
0
1.0
0.8
P
DM
tw
T
D
=
tw
T
10
–1
7
5
3
2
0.6
0.4
–50
0
50
100
150
10
–2 –4
10
2 3 5 7
10
–3
2 3 5 7
10
–2
2 3 5 7
10
–1
2 3 5 7
10
0
2 3 5 7
10
1
2 3 5 7
10
2
脉冲宽度t
w
(s)
Jan.1999
沟道温度Tch ( ° C)